[发明专利]形成晶片图的方法无效
申请号: | 201110117544.2 | 申请日: | 2011-04-26 |
公开(公告)号: | CN102610487A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 郑柄旭;朴洸佑;金秀炫 | 申请(专利权)人: | 赛科隆股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L33/00;G06F17/50 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 段迎春 |
地址: | 韩国忠清南道天*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 晶片 方法 | ||
技术领域
本发明示例实施例大体上涉及一种形成晶片图的方法。更特别的是,本发明示例实施例涉及一种形成包括有裸芯(die)的晶片的晶片图的方法,所述裸芯上形成有发光装置,所述晶片图以电和光的方式检查所述发光装置。
背景技术
通常,形成在半导体晶片上的诸如发光二极管(LED)芯片之类的发光装置,在通过用切割工艺分开后,可以通过裸芯粘结工艺,被附接在导线框架(lead frame)上。然后,可以在所述发光装置上进行电和光检查工艺。
可以使用多个探针通过将电信号应用到所述发光装置上,在所述发光装置上进行检查工艺。特别是,要检查所述发光装置是否正常工作,电检查工艺测量流经发光装置的电流或者所述发光装置的电阻,光检查工艺测量通过在所述发光装置上应用电信号所发出的光的强度。
但是,所述检查工艺是在每一个发光装置上进行的,使所述检查工艺所需要的时间增加,然后所述发光装置的产量会降低。为了解决上述问题,近年来研发了一种晶片水平检查工艺。
所述晶片水平检查工艺可以在晶片上进行,所述晶片包括在通过切割工艺分开后附接到切割胶带的裸芯。需要晶片图来进行晶片水平检查工艺,其包括每一个裸芯是否为检查对象的数据。所述晶片图可以由操作人员手动获得。特别的是,操作人员可以通过显微镜用裸眼来确认,然后将裸芯上的数据输入到控制器中,以形成晶片图。
但是,根据上文描述的现有技术,形成晶片图所需的时间可能会很长,同时晶片图的可靠性会随着操作人员的技术水平而变化。
发明内容
本发明示例的实施例提供一种自动获取构成晶片的裸芯上的数据以及使用所述数据形成晶片图的方法。
根据本发明的一个方面,一种形成晶片图的方法可以包括,从其上形成有发光装置的裸芯上获取参考图像,获取包括多个裸芯的晶片的图像,将所述图像与所述参考图像进行比较,以将所述裸芯分成检查目标裸芯和非检查裸芯,使用被分成检查目标裸芯和非检查裸芯后的裸芯上的数据形成所述晶片图。
根据本发明的一些示例实施例,可以通过用图像获取系统扫描所述晶片获得所述图像。
根据本发明的一些示例实施例,所述裸芯可以被附接到切割带上。
根据本发明的另一个方面,一种形成晶片图的方法可以包括形成包括多个裸芯的晶片的初始晶片图,从其上形成有发光装置的裸芯上获得参考图像,获得所述晶片的图像,将所述图像与所述参考图像进行比较,以将所述裸芯分成检查目标裸芯和非检查裸芯,使用被分成检查目标裸芯和非检查裸芯的裸芯上的数据更新所述初始晶片图,以完成所述晶片图。
根据上文描述的本发明的示例实施例,所述晶片图可以用来在形成于所述晶片上的发光装置上执行电和/或光检查工艺。特别的是,所述晶片图可以通过图像获取系统和控制器自动形成,而不用操作人员手动形成。因此,可以缩短在所述发光装置上进行电和/光检查工艺的时间。进一步地,可以改善所述晶片图的可靠性,因而可以减少在所述电和/或光检查工艺中所用的时间。
附图说明
随着下文的详细描述,当与附图结合起来考虑时,本发明的示例实施例将会变得易于理解,其中:
图1是图示根据本发明的示例实施例形成晶片图的方法的流程图;
图2是图示从裸芯上获得的一例参考图像的示意图,在所述裸芯上形成有发光装置;
图3是图示晶片上的扫描方向的例子和由图像获取系统所获得的图像的例子的示意图。
图4是图示根据本发明的另一个示例实施例的形成晶片图的方法的流程图;
图5是图示由图4所示的方法形成的初始晶片图的示意图;和
图6是图示如图4所示的方法完成的晶片图的示意图。
具体实施方式
接下来参考显示了本发明的示例实施例的附图更充分地描述本发明。但是,本发明可以体现为不同的形式,不应当理解为受到此处罗列的示例实施例的限制。更准确地说,提供这些实施例是使本说明书详尽和完整,充分地将本发明的范畴传达给本领域技术人员。在附图中,为了清楚起见,各层和区域的尺寸和相对尺寸可能会有夸大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造