[发明专利]一种过电压保护电路及灯具无效

专利信息
申请号: 201110118305.9 申请日: 2011-05-09
公开(公告)号: CN102780202A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 周明杰;孙占民 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
主分类号: H02H3/20 分类号: H02H3/20;H05B37/02
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 贾振勇
地址: 518052 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 过电压 保护 电路 灯具
【权利要求书】:

1.一种过电压保护电路,连接在电源和用电电路之间,其特征在于,所述过电压保护电路包括:

稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、P型MOS管Q3、第一开关管和第二开关管;

所述P型MOS管Q3的源极为过电压保护电路的输入端接所述电源正极,所述P型MOS管Q3的漏极为过电压保护电路的输出端接用电电路,所述稳压管D1的阴极接所述电源正极,所述稳压管D1的阳极通过串联的分压电阻R1和分压电阻R2接地,所述第一开关管的控制端接所述分压电阻R1和分压电阻R2的公共连接端,所述第一开关管的低电位端接地,所述第一开关管的高电位端接第二开关管的控制端,所述分压电阻R3的第一端接第二开关管的控制端,所述分压电阻R3的第二端接电源正极,所述分压电阻R4的第一端接第二开关管的控制端,所述分压电阻R4的第二端接地,所述第二开关管的低电位端接地,所述第二开关管的高电位端接P型MOS管Q3的栅极,所述分压电阻R5连接在电源正极与第二开关管的高电位端之间。

2.如权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述第一开关管采用三极管Q1,所述三极管Q1的基极为第一开关管的控制端,所述三极管Q1的集电极为第一开关管的高电位端,所述三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。

3.如权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述第一开关管采用N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为第一开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为第一开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为第一开关管的低电位端。

4.如权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述第二开关管采用三极管Q2,所述三极管Q2的基极为第二开关管的控制端,所述三极管Q2的集电极为第二开关管的高电位端,所述三极管Q2的发射极为第二开关管的低电位端。

5.如权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述第二开关管采用N型MOS管Q5,所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管的控制端,所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管的高电位端,所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管的低电位端。

6.一种灯具,包括连接在电源和灯具电路之间的过电压保护电路,其特征在于,所述过电压保护电路包括:

稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、P型MOS管Q3、第一开关管和第二开关管;

所述P型MOS管Q3的源极为过电压保护电路的输入端接所述电源正极,所述P型MOS管Q3的漏极为过电压保护电路的输出端接用电电路,所述稳压管D1的阴极接所述电源正极,所述稳压管D1的阳极通过串联的分压电阻R1和分压电阻R2接地,所述第一开关管的控制端接所述分压电阻R1和分压电阻R2的公共连接端,所述第一开关管的低电位端接地,所述第一开关管的高电位端接第二开关管的控制端,所述分压电阻R3的第一端接第二开关管的控制端,所述分压电阻R3的第二端接电源正极,所述分压电阻R4的第一端接第二开关管的控制端,所述分压电阻R4的第二端接地,所述第二开关管的低电位端接地,所述第二开关管的高电位端接P型MOS管Q3的栅极,所述分压电阻R5连接在电源正极与第二开关管的高电位端之间。

7.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第一开关管采用三极管Q1,所述三极管Q1的基极为第一开关管的控制端,所述三极管Q1的集电极为第一开关管的高电位端,所述三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。

8.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第一开关管采用N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为第一开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为第一开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为第一开关管的低电位端。

9.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第二开关管采用三极管Q2,所述三极管Q2的基极为第二开关管的控制端,所述三极管Q2的集电极为第二开关管的高电位端,所述三极管Q2的发射极为第二开关管的低电位端。

10.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第二开关管采用N型MOS管Q5,所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管的控制端,所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管的高电位端,所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管的低电位端。

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