[发明专利]一种过电压保护电路及灯具无效
申请号: | 201110118305.9 | 申请日: | 2011-05-09 |
公开(公告)号: | CN102780202A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 周明杰;孙占民 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20;H05B37/02 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 贾振勇 |
地址: | 518052 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 过电压 保护 电路 灯具 | ||
1.一种过电压保护电路,连接在电源和用电电路之间,其特征在于,所述过电压保护电路包括:
稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、P型MOS管Q3、第一开关管和第二开关管;
所述P型MOS管Q3的源极为过电压保护电路的输入端接所述电源正极,所述P型MOS管Q3的漏极为过电压保护电路的输出端接用电电路,所述稳压管D1的阴极接所述电源正极,所述稳压管D1的阳极通过串联的分压电阻R1和分压电阻R2接地,所述第一开关管的控制端接所述分压电阻R1和分压电阻R2的公共连接端,所述第一开关管的低电位端接地,所述第一开关管的高电位端接第二开关管的控制端,所述分压电阻R3的第一端接第二开关管的控制端,所述分压电阻R3的第二端接电源正极,所述分压电阻R4的第一端接第二开关管的控制端,所述分压电阻R4的第二端接地,所述第二开关管的低电位端接地,所述第二开关管的高电位端接P型MOS管Q3的栅极,所述分压电阻R5连接在电源正极与第二开关管的高电位端之间。
2.如权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述第一开关管采用三极管Q1,所述三极管Q1的基极为第一开关管的控制端,所述三极管Q1的集电极为第一开关管的高电位端,所述三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。
3.如权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述第一开关管采用N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为第一开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为第一开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为第一开关管的低电位端。
4.如权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述第二开关管采用三极管Q2,所述三极管Q2的基极为第二开关管的控制端,所述三极管Q2的集电极为第二开关管的高电位端,所述三极管Q2的发射极为第二开关管的低电位端。
5.如权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述第二开关管采用N型MOS管Q5,所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管的控制端,所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管的高电位端,所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管的低电位端。
6.一种灯具,包括连接在电源和灯具电路之间的过电压保护电路,其特征在于,所述过电压保护电路包括:
稳压管D1、分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、P型MOS管Q3、第一开关管和第二开关管;
所述P型MOS管Q3的源极为过电压保护电路的输入端接所述电源正极,所述P型MOS管Q3的漏极为过电压保护电路的输出端接用电电路,所述稳压管D1的阴极接所述电源正极,所述稳压管D1的阳极通过串联的分压电阻R1和分压电阻R2接地,所述第一开关管的控制端接所述分压电阻R1和分压电阻R2的公共连接端,所述第一开关管的低电位端接地,所述第一开关管的高电位端接第二开关管的控制端,所述分压电阻R3的第一端接第二开关管的控制端,所述分压电阻R3的第二端接电源正极,所述分压电阻R4的第一端接第二开关管的控制端,所述分压电阻R4的第二端接地,所述第二开关管的低电位端接地,所述第二开关管的高电位端接P型MOS管Q3的栅极,所述分压电阻R5连接在电源正极与第二开关管的高电位端之间。
7.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第一开关管采用三极管Q1,所述三极管Q1的基极为第一开关管的控制端,所述三极管Q1的集电极为第一开关管的高电位端,所述三极管Q1的发射极为第一开关管的低电位端。
8.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第一开关管采用N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为第一开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为第一开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为第一开关管的低电位端。
9.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第二开关管采用三极管Q2,所述三极管Q2的基极为第二开关管的控制端,所述三极管Q2的集电极为第二开关管的高电位端,所述三极管Q2的发射极为第二开关管的低电位端。
10.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第二开关管采用N型MOS管Q5,所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管的控制端,所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管的高电位端,所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管的低电位端。
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