[发明专利]一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管，包括金属化集电极(1)、P型集电区(2)、N^-基区(3)、P⁺体区(4)、P型基区(5)、N⁺源区(6)、多晶硅栅电极(7)、二氧化硅栅氧化层(8)、金属化发射极(9)、N型电场阻止层(15)、N型掺杂柱区(17)和深槽体电极结构(18)；金属化集电极(1)位于P型集电区(2)的背面，P型集电区(2)的正面是N型电场阻止层(15)，N型电场阻止层(15)的上面是N^-基区(3)，N^-基区(3)的上面是N型掺杂柱区(17)，N⁺源区(6)和P⁺体区(4)并排位于金属化发射极(9)下方、且与金属化发射极(9)相连，其中P⁺体区(4)下方直接与N型掺杂柱区(17)相连，而N⁺源区(6)与N型掺杂柱区(17)之间间隔着P型基区(5)；二氧化硅栅氧化层(8)位于N型掺杂柱区(17)、P型基区(5)和部分N⁺源区(6)三者的表面，平面型多晶硅栅电极(7)位于二氧化硅栅氧化层(8)表面、且居于金属化发射极(9)的一侧；在N^-基区(3)上方、且居于N型掺杂柱区(17)侧面的区域还具有深槽体电极结构(18)；所述深槽体电极结构(18)由P型浮空层(10)、深槽二氧化硅氧化层(11)和深槽体电极(12)构成；其中所述P型浮空层(10)位于深槽二氧化硅氧化层(11)下方，其侧面与N型掺杂柱区(17)接触，其下方与N^-基区(3)接触；所述深槽二氧化硅氧化层(11)的侧面与P⁺体区(4)和N型掺杂柱区(17)接触，深槽体电极(12)被深槽二氧化硅氧化层(11)所包围。

2.根据权利要求1所述的深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管，其特征是，所述P型浮空层(10)其形状是方形、条形、圆形、梯形或椭圆形。

3.根据权利要求1所述的深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管，其特征是，所述深槽体电极结构(18)的槽深和P型浮空层(10)的最大深度可达N型电场阻止层(15)。

4.根据权利要求1所述的一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管，其特征是，所述的深槽二氧化硅氧化层(11)的厚度大于0.5微米。

5.根据权利要求1所述的一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管，其特征是，所述深槽体电极12材料采用多晶硅、金属或其它导电材料。