[发明专利]一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管有效
申请号: | 201110118624.X | 申请日: | 2011-05-09 |
公开(公告)号: | CN102184949A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 李泽宏;张超;夏小军;张硕;肖璇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/40 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 深槽侧氧 调制 平面 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
1.一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管,包括金属化集电极(1)、P型集电区(2)、N-基区(3)、P+体区(4)、P型基区(5)、N+源区(6)、多晶硅栅电极(7)、二氧化硅栅氧化层(8)、金属化发射极(9)、N型电场阻止层(15)、N型掺杂柱区(17)和深槽体电极结构(18);金属化集电极(1)位于P型集电区(2)的背面,P型集电区(2)的正面是N型电场阻止层(15),N型电场阻止层(15)的上面是N-基区(3),N-基区(3)的上面是N型掺杂柱区(17),N+源区(6)和P+体区(4)并排位于金属化发射极(9)下方、且与金属化发射极(9)相连,其中P+体区(4)下方直接与N型掺杂柱区(17)相连,而N+源区(6)与N型掺杂柱区(17)之间间隔着P型基区(5);二氧化硅栅氧化层(8)位于N型掺杂柱区(17)、P型基区(5)和部分N+源区(6)三者的表面,平面型多晶硅栅电极(7)位于二氧化硅栅氧化层(8)表面、且居于金属化发射极(9)的一侧;在N-基区(3)上方、且居于N型掺杂柱区(17)侧面的区域还具有深槽体电极结构(18);所述深槽体电极结构(18)由P型浮空层(10)、深槽二氧化硅氧化层(11)和深槽体电极(12)构成;其中所述P型浮空层(10)位于深槽二氧化硅氧化层(11)下方,其侧面与N型掺杂柱区(17)接触,其下方与N-基区(3)接触;所述深槽二氧化硅氧化层(11)的侧面与P+体区(4)和N型掺杂柱区(17)接触,深槽体电极(12)被深槽二氧化硅氧化层(11)所包围。
2.根据权利要求1所述的深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管,其特征是,所述P型浮空层(10)其形状是方形、条形、圆形、梯形或椭圆形。
3.根据权利要求1所述的深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管,其特征是,所述深槽体电极结构(18)的槽深和P型浮空层(10)的最大深度可达N型电场阻止层(15)。
4.根据权利要求1所述的一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管,其特征是,所述的深槽二氧化硅氧化层(11)的厚度大于0.5微米。
5.根据权利要求1所述的一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管,其特征是,所述深槽体电极12材料采用多晶硅、金属或其它导电材料。
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