[发明专利]稀土钇镧复合氮化硅陶瓷生产工艺无效
申请号: | 201110118699.8 | 申请日: | 2011-05-10 |
公开(公告)号: | CN102775150A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 丁勤;杨婷 | 申请(专利权)人: | 昆山智集材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/63;C04B35/622 |
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地址: | 215332 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稀土 复合 氮化 陶瓷 生产工艺 | ||
1.稀土钇镧复合氮化硅陶瓷生产工艺所涉及的氧化镧氧化钇作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷,组分及质量百分比含量为:氧化镧3%~7%,氧化钇5%~8%,氮化硅85%~92%。所述的氧化镧粒度3~6微米,氧化钇粒度5~7微米,氮化硅粒度0.4~0.7微米。
2.根据权利要求1所述的稀土钇镧复合氮化硅陶瓷生产工艺所涉及的氧化镧氧化钇作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷方法,包括如下步骤:
步骤一,分别称取氧化镧氧化钇和氮化硅陶瓷粉体,在行星式球磨机中以每分钟270~330转混合2小时,分散介质为无水乙醇,随后在60℃烘干,时间为2~3小时,得到混合均匀的氧化镧氧化钇和氮化硅陶瓷混合粉体;
步骤二,将步骤一的混合粉体在75~100MPa压力下成型,形成素坯;
步骤三,将步骤二中的素坯在真空碳管炉中在氮气保护下,在1400~1550℃温度下保温12~18小时。
步骤四,将步骤三中烧成的氮化硅陶瓷取出,检测体积密度和力学性能。
3.根据权利要求2所述的稀土钇镧复合氮化硅陶瓷生产工艺,其特征在于步骤一中所述氧化镧的重量百分比为3%~7%,氧化钇的重量百分比为5%~8%,氮化硅的重量百分比为85%~92%。
4.根据权利要求2所述的稀土钇镧复合氮化硅陶瓷生产工艺,其特征在于步骤一中,所述氮化硅中α-Si3N4含量大于90%。
5.根据权利要求2所述的稀土钇镧复合氮化硅陶瓷生产工艺,其特征在于步骤一中,所述氧化镧氧化钇中含量均大于98%。
6.根据权利要求2所述的稀土钇镧复合氮化硅陶瓷生产工艺,其特征在于步骤三中,所述氮气的压力为1~2大气压。
7.根据权利要求2所述的稀土钇镧复合氮化硅陶瓷生产工艺,其特征在于步骤四中,所述力学性能为抗折强度。
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