[发明专利]具有沟槽边缘终端的半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

半导体本体，该半导体本体具有第一表面和第二表面并具有内部区域和边缘区域；

pn结，该pn结位于第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域之间，该pn结在内部区域中在半导体本体的横向方向上延伸；

第一沟槽，该第一沟槽从边缘区域中的第一侧延伸到半导体本体内，其中该沟槽具有彼此相对布置且相对于半导体本体的水平方向倾斜的侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体本体还包括边缘表面，其中该沟槽布置为远离该边缘表面。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其中至少该第一和第二半导体区域的第一半导体区域在横向方向延伸到该第一沟槽。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该沟槽是V形的。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该第二半导体区域在横向方向延伸超过该第一沟槽。

6.根据权利要求5所述的半导体元件，其中第一导电类型的第三半导体区域布置在该第二半导体区域和该第一沟槽之间。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其中该第三半导体区域沿着该沟槽的侧壁延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体本体具有厚度且该第一沟槽在垂直方向具有深度，且其中该深度小于该厚度的70%、小于该厚度的66%或小于该厚度的50%。

9.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该第二半导体区域在该半导体本体的垂直方向具有厚度且该第一沟槽在该垂直方向具有深度，且其中该深度小于该第二半导体区域21的厚度的70%、小于该第二半导体区域21的厚度的66%或小于该第二半导体区域21的厚度的50%。

10.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该第一沟槽在该垂直方向不延伸超过该第二半导体区域。

11.根据权利要求2所述的半导体元件，还包括：

第二导电类型的沟道停止器区域，其比该第二半导体区域更高地掺杂且沿着该第一表面布置在该第一沟槽和边缘表面之间。

12.根据权利要求11所述的半导体元件，还包括：

第一导电类型的电荷载流子源区域，其布置在该第一沟槽和边缘表面之间且与该沟槽停止器区相连。

13.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括：

第二导电类型的场停止区域，其布置为在该第二半导体区域中远离第一半导体区域且比该第二半导体区域更高地掺杂。

14.根据权利要求2所述的半导体元件，还包括：

第二沟槽，其从该第一沟槽和边缘表面之间的第一表面延伸到该半导体本体内，其中该第二沟槽布置为远离该第一沟槽并远离该边缘表面；

第一导电类型的另外的沟道停止器区域，其沿着该第一表面布置在该第二沟槽和边缘表面之间。

15.根据权利要求14所述的半导体元件，还包括：

第一导电类型的发射极或漏极区域，其布置为在该半导体本体的垂直方向远离第一半导体区域，且布置在该内部区域和边缘区域中；

半导体导电类型的连接区域，其在发射极或漏极区域与该另外的沟道停止器区域之间的边缘区域中延伸。

16.根据权利要求15所述的半导体元件，其中该连接区域沿着该边缘表面延伸。

17.权利要求15所述的半导体元件，其实现为RB IGBT、GTO或晶闸管。

18.权利要求1所述的半导体元件，其实现为垂直二极管，

其中该第一半导体区域形成第一发射极，该第二半导体区域形成基极区域，并且

其还包括：

第二导电类型的第二发射极，其中该基极区域布置在该第一和第二发射极之间。