[发明专利]液晶显示装置及其制造方法

说明书

本发明要求2010年5月4日于韩国申请的韩国专利申请10-2010-004218的优先权，通过参考将其全部内容结合于此。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置，并且更特别地，涉及一种液晶显示装置及其制造方法。

背景技术

直到最近，显示装置还通常使用阴极射线管(CRT)。目前，进行了很多努力和研究来研发诸如液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)、场发射显示器和电致发光显示器(ELD)等不同类型的平板显示器作为CRT的替代品。在这些平板显示器中，LCD装置具有诸如高分辨率、轻质量、薄厚度、紧凑尺寸和低的电源电压等许多优点。

通常，LCD装置包括两个基板，这两个基板间隔开并彼此相对，在两个基板之间有液晶材料。这两个基板包括彼此相对的电极以便在施加电压时在电极之间产生横跨液晶材料的电场。液晶材料中的液晶分子的取向根据感应电场的强度改变到感应电场的方向，从而改变LCD装置的光透射率。因此，LCD装置通过改变感应电场的强度显示图象。

图1是现有技术的LCD装置的横截面图。

参照图1，LCD装置包括液晶面板10和该液晶面板下方的背光，该液晶面板10包括阵列基板、滤色器基板以及在阵列基板和滤色器基板之间的液晶层50。

阵列基板包括在第一基板1上彼此交叉以限定像素区域P的栅极线(未示出)和数据线4。薄膜晶体管Tr形成在靠近栅极线和数据线4的交叉部分的开关区域TrA中。像素电极24形成在显示区域AA中以充分地显示图象并连接到薄膜晶体管Tr。

薄膜晶体管Tr包括栅极电极11、栅极绝缘层13、半导体层15以及源极电极17和漏极电极19。

钝化层21形成在具有薄膜晶体管Tr的第一基板1上，而像素电极24形成在钝化层21上并连接到漏极电极19。

滤色器基板包括在第二基板2上由黑色树脂制成的黑矩阵32。黑矩阵32屏蔽诸如栅极线、数据线4和薄膜晶体管等非显示元件并暴露像素电极24。

红(R)、绿(G)和蓝(B)滤色器34对应于黑矩阵32的各个开口形成。公共电极36形成在滤色器34和黑矩阵32上。

在LCD装置中，电场的非正态分布发生在由电极和线造成的台阶部分的周围，这将导致液晶分子的非正常操作。因此，在台阶部分周围发生漏光。

黑矩阵32位于非正常操作的液晶分子所在的区域，例如，位于栅极线和数据线4所在的区域，以防止漏光。

此外，黑矩阵32延伸以便黑矩阵32覆盖数据线4及数据线4两侧处的像素电极24部分。

例如，黑矩阵32被构造成具有VAC(视角干扰)边界D以防止VAC缺陷，该VAC缺陷是指根据观察者穿过数据线4和像素电极24之间的分开区域的视角可见到漏光。然而，在这种情况下，孔径比降低。

为了解决这些问题，提出图2所示的结构。参照图2，与像素电极重叠以形成储能电容的公共线6形成在数据线4下方。这种结构起到阻挡穿过数据线4和像素电极24之间的分开区域的漏光的作用，因而防止了VAC缺陷。在这种情况下，黑矩阵32不需要VAC边界(图1中的D)，因而提高了孔径比。

然而，在图2的装置中，由于公共线6在数据线4的下方，公共线6和数据线4与作为电介质的栅极绝缘层13形成寄生电容。该寄生电容起电阻器的作用并导致信号延迟和电流消耗增加。因此，可靠性降低，并导致数据线断开。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种液晶显示装置及其制造方法，基本上消除了由现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。

本发明的优点是提供一种能够提高孔径比和亮度的液晶显示装置及其制造方法。

本发明的附加特征和优点将在下面描述中公开，并且一部分根据描述将是明显的，或者通过实施本发明是可被认识的。本发明的这些和其他优点将能通过这里的书面说明及其权利要求以及说明书附图特别指出的结构认识到和获得。

为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如同这里所具体表达和广泛描述的，液晶显示装置包括：阵列基板、相对基板以及在该阵列基板和该相对基板之间的液晶层。该阵列基板包括：在第一基板上彼此交叉以限定像素区域的栅极线和数据线，与栅极线平行的公共线，从该公共线延伸的第一和第二公共线图案，其中数据线在第一和第二公共线图案之间，连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管，连接到薄膜晶体管并位于像素区域的像素电极，以及位于栅极线、公共线、第一和第二公共线图案下方的无机黑矩阵，其中位于第一和第二公共线图案下方的无机黑矩阵屏蔽数据线。该相对基板包括在第二基板上的公共电极。