[发明专利]动态控制微晶层中形成的膜的微结构的方法

权利要求书

1.一种形成本征型微晶硅层的方法，包括：

动态增加供应到设置在处理室中的基板表面的气体混合物中的硅烷气体；

动态减小施加到供应至处理室的气体混合物的RF功率，所述气体混合物在所述处理室中形成等离子体；和

在存在所述等离子体的情况下，在基板上形成本征型微晶硅层。

2.如权利要求1所述的方法，其中供应到所述气体混合物中的所述硅烷气体是线性增加的。

3.如权利要求1所述的方法，其中施加到所述气体混合物中的所述RF功率是线性减小的。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述本征型微晶硅层之前形成籽晶层。

5.如权利要求4所述的方法，还包括：

在于所述基板表面上形成所述籽晶层之前执行氢处理工艺。

6.如权利要求4所述的方法，其中执行所述氢处理工艺还包括：

在所述氢处理工艺中施加低于150mW/cm²的RF功率。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

动态增加设置在所述处理室中的所述气体混合物的工艺压力。

8.如权利要求7所述的方法，其中动态增加所述工艺压力还包括：

将所述工艺压力从约12Torr增加至约15Torr。

9.如权利要求1所述的方法，其中动态增加供应到所述气体混合物中的所述硅烷气体还包括：

将供应到所述气体混合物中的所述硅烷气体和氢气的流速比从约1∶70增加至约1∶80。

10.如权利要求1所述的方法，其中动态减小施加到所述气体混合物的所述RF功率还包括：

将所述RF功率从800mW/cm²减小至约700mW/cm²。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：

将基板间隔从约600密耳动态增加至约700密耳。

12.如权利要求4所述的方法，其中形成所述籽晶层还包括：

增加供应到所述气体混合物中的硅烷气体流速；和

增加所述硅烷气体流速的同时，保持供应到气体混合物中的稳定氢气流速。

13.如权利要求5所述的方法，其中形成所述籽晶层还包括：

在形成所述籽晶层时施加低于400mW/cm²的RF功率。

14.如权利要求1所述的方法，还包括：

供应所述气体混合物至所述处理室长达约1000秒和约1800秒之间的时间。

15.一种形成本征型微晶硅层的方法，包括：

在设置于处理室中的基板上形成本征型籽晶层；

在形成所述籽晶层时施加低于400mW/cm²的RF功率以保持自气体混合物形成的等离子体；

随后在存在所述等离子体的情况下，在基板上形成本征型微晶硅层，其中所述本征型微晶硅层是藉由动态增加供应到气体混合物中的硅烷气体而形成的；和

动态减小施加到供应至处理室的气体混合物中的用于在所述气体混合物中形成等离子体的RF功率。

16.如权利要求15所述的方法，其中动态增加供应到所述气体混合物中的所述硅烷气体的步骤还包括：

将供应到所述气体混合物中的所述硅烷气体对氢气的流速比从约1∶70增加至约1∶80。

17.如权利要求15所述的方法，其中动态减小所述RF功率的步骤还包括：

将所述RF功率从800mW/cm²减小至约700mW/cm²。

18.如权利要求15所述的方法，其中动态增加供应到所述气体混合物中的所述硅烷气体的步骤还包括：

将工艺压力从约12Torr增加至约15Torr。

19.如权利要求15所述的方法，还包括：

在于所述基板表面上形成所述本征型籽晶层之前执行氢处理工艺。

20.一种形成本征型微晶硅层的方法，包括：

将第一气体混合物供应到设置于处理室中的基板的表面上，以在所述基板上形成本征型籽晶层，其中第一气体混合物包括硅烷气体和氢气，当供应所述第一气体混合物时，所述硅烷气体流速增加而所述氢气流速保持稳定；和

将第二气体混合物供应到所述基板表面上，以在所述本征型籽晶层上形成本征型微晶硅层，其中当供应所述第二气体混合物时，所述硅烷气体流速增加，并且当形成所述本征型微晶硅层时，施加到所述第二气体混合物的RF功率减小。