[发明专利]标准单元、半导体器件以及标准单元的布局和布线方法有效
申请号: | 201110120289.7 | 申请日: | 2011-05-06 |
公开(公告)号: | CN102237362A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 大村浩史 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/528;H01L21/82;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 标准 单元 半导体器件 以及 布局 布线 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括形成在半导体衬底的表面之上的第一标准单元和第二标准单元,
其中所述第一标准单元包括:
带状第一杂质扩散区域,形成在所述半导体衬底的表面之上;
第一功能器件区域,形成在所述半导体衬底的表面之上并且与所述第一杂质扩散区域相对;以及
第一金属层,布置在所述半导体衬底的表面之上,并且包括在所述第一杂质扩散区域上方延伸并且沿着所述第一杂质扩散区域延伸的第一干线部分以及从所述第一干线部分朝着所述第一功能器件区域的上方延伸的第一延伸部分,
其中所述第二标准单元包括:
带状第二杂质扩散区域,形成在所述半导体衬底的表面之上并且与所述第一杂质扩散区域连续;
第二功能器件区域,形成在所述半导体衬底的表面之上并且与所述第二杂质扩散区域相对;以及
用于耦合的杂质扩散区域,形成在所述半导体衬底的表面之上的所述第二杂质扩散区域与所述第二功能器件区域之间,以将所述第二杂质扩散区域与所述第二功能器件区域相互电耦合,并且
其中所述第一金属层和所述第二功能器件区域通过所述第一干线部分、所述第一杂质扩散区域、所述第二杂质扩散区域以及所述用于耦合的杂质扩散区域而电耦合在一起。
2.如权利要求1的半导体器件,进一步包括形成在所述半导体衬底的表面之上的第三标准单元,
其中所述第三标准单元包括:
带状第三杂质扩散区域,形成在所述半导体衬底的表面之上并且相对于所述第二杂质扩散区域安置在所述第一杂质扩散区域的相对侧上,所述第三杂质扩散区域与所述第二杂质扩散区域连续;以及
第三功能器件区域,形成在所述半导体衬底的表面之上,并且与所述第三杂质扩散区域相对,
其中第二金属层布置在所述半导体衬底的表面之上;
其中所述第二金属层包括:
第二干线部分,在所述第二杂质扩散区域上方延伸并且沿着所述第二杂质扩散区域延伸;
第二延伸部分,从所述第二干线部分朝着所述第一功能器件区域的上方延伸;以及
第三延伸部分,从所述第二干线部分朝着所述第三功能器件区域的上方延伸,
其中所述第一功能器件区域和所述第三功能器件区域通过所述第二干线部分、所述第二延伸部分以及所述第三延伸部分电耦合在一起,并且
其中所述第二金属层的第二干线部分延伸的平面高度不大于所述第一金属层的平面高度。
3.如权利要求1的半导体器件,进一步包括形成在所述半导体衬底的表面之上的第三标准单元,
其中所述第三标准单元包括:
第三功能器件区域,形成在所述半导体衬底的表面之上,并且相对于所述第二杂质扩散区域安置在所述第二功能器件区域的相对侧上,所述第三功能器件区域与所述第二杂质扩散区域相对,
其中第二金属层延伸使得在所述半导体衬底的表面上方的位置处跨域所述第二杂质扩散区域,以将所述第二功能器件区域与所述第三功能器件区域相互电耦合,并且
其中所述第二金属层延伸以跨越所述第二杂质扩散区域的平面高度不大于所述第一金属层的平面高度。
4.一种标准单元,包括形成在半导体衬底的表面之上的第一标准单元和第二标准单元,
其中所述第一标准单元包括:
第一功能器件区域,形成在所述半导体衬底的表面之上;
带状第一杂质扩散区域,形成在所述半导体衬底的表面之上并且夹在所述第一功能器件区域的两侧地相互相对放置;以及
金属层,布置在所述半导体衬底的表面上方,所述金属层的每一个都包括干线部分和延伸部分,所述金属层的干线部分分别在所述第一杂质扩散区域上方延伸并且沿着所述第一杂质扩散区域延伸,所述金属层的延伸部分朝着所述第一功能器件区域的上方延伸,
其中所述第二标准单元包括:
第二功能器件区域,形成在所述半导体衬底的表面之上;
带状第二杂质扩散区域,形成在所述半导体衬底的表面之上并且夹在所述第二功能器件区域的两侧地相互相对放置,所述第二杂质扩散区域分别与所述第一杂质扩散区域连续;以及
用于耦合的杂质扩散区域,形成在所述半导体衬底的表面上方以电耦合在所述第二杂质扩散区域与所述第二功能器件区域之间,并且
其中所述金属层与所述第二功能器件区域通过所述干线部分、所述第一杂质扩散区域、所述第二杂质扩散区域以及所述用于耦合的杂质扩散区域而电耦合在一起。
5.一种用于对权利要求4中所描述的标准单元进行布局和布线的方法,包括以下步骤:
提供单元库,在所述单元库中存储有关于所述第二标准单元的图形信息;
将预定的电路耦合信息输入到布局和布线系统;
允许所述布局和布线系统从所述单元库读出关于除了所述第二标准单元以外的预定标准单元的图形信息并且对关于所述标准单元的图形信息进行布局使得与所述电路耦合信息对应;
检测布线拥挤区域的出现,在所述布线拥挤区域中耦合在所述标准单元之间的布线线路的密度超过预定值;以及
允许所述布局和布线系统从所述单元库读出关于所述第二标准单元的图形信息并且通过所述第二标准单元替代包括在所述布线拥挤区域中的标准单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的