[发明专利]低噪声放大器

说明书

技术领域

本发明涉及一种无线通信领域的低噪声放大器，特别是涉及一种电流复用型低噪声放大器。

背景技术

近些年随着无线通讯技术的发展，对接收和发射模块的性能提出了更高的要求，更加的关注电路的功耗和成本以及性能指标。低噪声放大器作为无线通讯中的重要模块，其特性也决定着整个接收模块的性能，比如灵敏度等。低噪声放大器要求具有较低噪声系数的同时又能提供一定的增益，从而来抑制混频器等后续模块的噪声，从而最终提高灵敏度。传统的低噪声放大器中，增益都是固定的，而有些系统则需要增益可调的模式。例如在RFID(无线射频识别)系统应用中，则要求有监听模式和读模式，对于读模式，灵敏度要求相对较低，而对于监听模式，则要求更高的灵敏度。

描述低噪声放大器的性能的主要参数有：电压增益、输入损耗、输出损耗、反向隔离度、线性度和噪声。由于这些参数是相互关联、相互制约的，因此采用何种折衷方案来提高低噪声放大器的整体性能成了设计的主要难点。如图1所示，一种现有低噪声放大器是共栅放大器，具有较好的输入匹配，构成了放大器的第一级，第二级采用反相器，提高了整体的增益和降低了噪声系数，但是功耗相对较大。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种电流复用型低噪声放大器，能够降低放大器的功耗，提高放大器的性能。

为解决上述技术问题，本发明的低噪声放大器，包括：

第一NMOS(N沟道金属氧化物半导体)场效应晶体管，其源极与第一电容的一端和第一电感的一端相连接，第一电容的另一端作为所述放大器的射频输入端；其漏极与第二电感的一端和第三电容的一端相连接，所述第二电感的另一端与第二NMOS管的源极和第二电容的一端相连接；所述第一电感的另一端和第二电容的另一端接地；

所述第二NMOS管的栅极连接第三电感的一端，所述第三电感的另一端与所述第三电容的另一端、电阻的一端、第四电容的一端相连接；其漏极与第五电容的一端、第一PMOS(P沟道金属氧化物半导体)场效应晶体管的源极和电阻的另一端相连接，第五电容的另一端作为所述放大器的射频输出端；

所述第一PMOS管的栅极与所述第四电容的另一端相连接，其漏极连接电源。

本发明的低噪声放大器在电路最顶端形成了一个反向电路，在不消耗电流的情况下增加等效总跨导，降低了放大器的功耗，提高了放大器的性能。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是一种现有的低噪声放大器示意图。

图2是本发明一实施例的示意图。

图中标记说明

RF_in是输入端    RF_out是输出端

C_in是第一电容   C₂是第二电容

C₃是第三电容    C₄是第四电容

C_out是第五电容

M₁第一NMOS管    M₂是第二NMOS管

M₃第一PMOS管

L_s是第一电感    L_d是第二电感

L_g是第三电感

VDD是电源电压   R₁是电阻。

具体实施方式

如图2所示，在一实施例中所述低噪声放大器，包括：

第一NMOS管M₁，其源极连接第一电容C_in的一端，该第一电容C_in的另一端作为所述放大器的射频输入端RF_in；其漏极连接第二电感L_d的一端，第二电感L_d的另一端连接第二NMOS管M₂的源极。第一NMOS管M₁的栅极接一偏置电压，保证晶体管正常在饱和状态。

第二NMOS管M₂，其源极连接第二电容C₂的一端，该第二电容C₂的另一端接地；其栅极连接第三电感L_g的一端；其漏极连接第五电容C_out的一端，第五电容C_out的另一端作为所述放大器的射频输出端RF_out。