[发明专利]一种可变曲率补偿的带隙电压基准源

权利要求书

1.一种可变曲率补偿的带隙电压基准源，其特征在于，包括启动电路，PTAT电流产生电路和高阶温度补偿电路，其中，启动电路用于启动PTAT电流产生电路，PTAT电流产生电路用于产生PTAT电流，PTAT电流用于输入到高阶温度补偿电路，高阶温度补偿电路产生高阶温度特性的电流并与PTAT电流叠加，得到可变曲率补偿的基准电压。

2.根据权利要求1所述的可变曲率补偿的带隙电压基准源，其特征在于，所述高阶温度补偿电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一三极管、第二三极管、第一电容和放大器，其中，第一PMOS管的源极与衬底均接外部的电源，其栅极接PTAT电流产生电路的输出端，其漏极与第一NMOS管的源极与衬底连接，同时与第二PMOS管的栅极与衬底连接，第一NMOS管的栅极连接放大器的输出端，漏极与第二PMOS管的源极连接，第二PMOS管的漏极串联第一电阻后连接到外部的电源，源极与第一NMOS管的漏极共同与第二电阻一端相连，第二电阻的另一端分别与第三电阻、第四电阻的一端、第一三极管、第二三极管的基极连接，第三电阻、第四电阻的另一端分别连接放大器的负向与正向输入端，以及第一三极管、第二三极管的集电极，第一三极管、第二三极管发射极相互连接，并且串联第五电阻后接地，第一电容连接在放大器的负向输入端与输出端之间。

3.根据权利要求2所述的可变曲率补偿的带隙电压基准源，其特征在于，所述的PTAT电流产生电路，包括第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三三极管、第四三极管、第五三极管、第六三极管，以及第六电阻；

所述的启动电路，包括第三NMOS管、第四NMOS管和第五PMOS管；

其中，第四PMOS管的栅漏短接，并且同时与第三PMOS管的栅极、第四三极管的漏极，以及启动电路的第三NMOS管的漏极，高阶温度补偿电路的第一PMOS管的栅极连接，第三PMOS管、第四PMOS管的源极与衬底均接外部的电源，第三PMOS管的漏极与第三三极管的集电极和基极、第四三极管的基极、第六三极管的栅极、启动电路的第NMOS管和第五PMOS管的栅极连接，第三三极管的发射极与第五三极管的集电极、第六三极管的基极连接，第四三极管的发射极与第六三极管的集电极、第五三极管的基极连接，第五三极管的发射极接地，第六三极管的发射极串联第六电阻后接地，第二NMOS管的漏极、源极与衬底均接地；

其中，第五PMOS管的源极与衬底都接外部的电源，栅极与第四NMOS管的栅极连接并且连接到PTAT电流产生电路，第五PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极连接，同时连接第三NMOS管的栅极，第三NMOS管的漏极连接到PTAT电流源电路第四PMOS管的漏极，第三NMOS管的源极与第四NMOS管的源极接地。

4.根据权利要求3所述的可变曲率补偿的带隙电压基准源，其特征在于，所述的第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管具有相同的宽长比。