[发明专利]一种低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种低压差线性稳压器，包括误差放大器、反馈采样网络、偏置电路和摆率增强电路，其特征在于，摆率增强电路的一部分包含于误差放大器之中，误差放大器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管、第四NMOS管；其中第一NMOS管和第二NMOS管又作为摆率增强电路的组成部分，摆率增强电路还包括第一电容和第二电容；反馈采样网络包括第三PMOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻；

具体连接关系如下：第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的源极分别与外部的电源电压相连接，第一PMOS管的栅漏短接，并与第二PMOS管的栅极、第一NMOS管的漏极相连；第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连，第一NMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极相连，第二NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极相连，第一NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极相连，第二NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极相连并作为所述低压差线性稳压器的输入端，第三NMOS管和第四NMOS管的源极与偏置电路相连，第二NMOS管的源极与第一电容的一端相连，第一电容的另一端与第二电容的一端相连，并作为所述低压差线性稳压器的输出端，第二电容的另一端与偏置电路的输入端相连；第三PMOS管的栅极与第二PMOS管的漏极相连，第一、第二、第三电阻顺次连接于第三PMOS管的漏极与地之间；第二和第三电阻的连接点与第三NMOS管的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述偏置电路包括第五NMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管，其中所述NMOS管的源极分别接地，所述NMOS管的栅极分别与第五NMOS管的漏极相连，第六NMOS管的漏极接所述误差放大器的第四NMOS管的源极，第五NMOS管的漏极作为偏置电路的输入端接外部电流源，第七NMOS管的漏极接所述低压差线性稳压器的输出端。

3.根据权利要求1或2所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述的低压差线性稳压器还包括补偿电路，所述补偿电路包括第三电容、第四电容和第四电阻，其中，第三电容的一端与反馈采样网络的第三PMOS管的栅极相连，另一端与第四电阻的一端相连，第四电阻的另一端与所述的低压差线性稳压器的输出端以及第四电容的一端相连，第四电容的另一端与误差放大器的第四NMOS管的栅极相连。