[发明专利]半导体制程方法

权利要求书

1.一种半导体制程方法，包含下列步骤：

提供一成长基板；

在该成长基板上形成一半导体基板；

在该半导体基板与该成长基板之间形成一第一凹凸结构；以及

改变该成长基板与该半导体基板的温度。

2.如权利要求1所述的制程方法，其中改变该成长基板与该半导体基板的温度更包括一晶圆接合步骤：加热该成长基板与该半导体基板，并施加一压力使该半导体基板接合至一接合基板。

3.如权利要求1所述的制程方法，其中在改变该成长基板与该半导体基板的温度之前包括一步骤：在该半导体基板上形成一半导体元件。

4.如权利要求3所述的制程方法，其中该接合基板的材质为一铜材质、一铝材质、一硅材质、一钻石材质、一铜合金材质或一铝合金材质其中之一。

5.如权利要求1所述的制程方法，其中该半导体基板是一氮化物半导体基板，而该成长基板为一氧化铝材质、一蓝宝石(Sapphire)材质、一碳化硅(SiC)材质或一硅(Si)材质其中之一。

6.如权利要求1所述的制程方法，其中在该半导体基板形成一第一凹凸结构是通过一化学湿式蚀刻或一干式蚀刻来图形化该半导体基板而形成该第一凹凸结构，以减少该半导体基板与该成长基板间的接触面积。

7.如权利要求6所述的制程方法，其中该化学湿式蚀刻为使用一氢氧化钾(KOH)溶液进行蚀刻。

8.如权利要求1所述的制程方法，其中在该成长基板上形成一半导体基板之前更包括以下步骤：

在该成长基板上形成一介电层；以及

在该介电层上以曝光、显影与蚀刻的方式形成一第二凹凸结构。

9.如权利要求8所述的制程方法，其中在该半导体基板与该成长基板间形成一第一凹凸结构之前更包括以下步骤：

在该第二凹凸结构上形成该半导体基板；以及

以一湿式蚀刻方式去除该介电层以形成该第一凹凸结构。

10.如权利要求9所述的制程方法，其中该湿式蚀刻方式为使用氟化氢(HF)溶液。

11.如权利要求8所述的制程方法，其中该介电层为一二氧化硅材质。

12.如权利要求8所述的制程方法，其中该第二凹凸结构裸露出该成长基板且为一连续凹凸结构。

13.一种半导体制程方法，包含下列步骤：

提供一第一基板，其具有一上表面；

提供一第二基板，其具有一下表面；

减少该上表面与该下表面间的一接触面积；以及

加热该第一与该第二基板。

14.一种半导体制程方法，包含下列步骤：

提供一第一基板，其具有一上表面；

提供一第二基板，其具有一下表面与该上表面接触；

加热该第一与该第二基板，以使该上表面与该下表面处于分离状态。