[发明专利]多功能存储单元、阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种多功能存储单元，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于半导体衬底上的电荷俘获式存储器，所述电荷俘获式存储器包括存储叠层结构以及在存储叠层结构两侧衬底内的源漏区；

位于存储叠层结构一侧的源漏区上的阻变存储器。

2.根据权利要求1所述的多功能存储单元，其特征在于，在所述源漏区和阻变存储器的下电极之间还包括：掺杂氧化层，所述掺杂氧化层具有同源漏区相反的掺杂类型。

3.根据权利要求2所述的多功能存储单元，其特征在于，所述掺杂氧化层为掺杂的二氧化硅。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的多功能存储单元，其特征在于，所述阻变存储器一侧的源漏区的面积大于另一侧源漏区的面积。

5.一种多功能存储阵列，包括M*N个如权利要求1-4中任一项所述的多功能存储单元，每M个所述多功能存储单元组成存储阵列的一行，一共有N行，其中，

对于第n行中的多功能存储单元U_(n，m-1)、U_(n，m)和U_(n，m+1)，U_(n，m-1)与U_(n，m)共用阻变存储器一侧的源漏区，U_(n，m)与U_(n，m+1)共用另一侧的源漏区；

第n行中的所有共用阻变存储器一侧的源漏区同一条位线BL_n电连接；

对于第m列上的多功能存储单元U_{(0，1..-N-1，m)}，N个电荷俘获式存储器的栅极同一条第一字线WL_m电连接，N个阻变存储器的上电极同一条第二字线WL’_m电连接，其中，M＞0，N＞0，且0≤m＜M，0≤n＜N。

6.一种多功能存储装置，包括如权利要求5所述的多功能存储阵列，以及第一多路选择器、第二多路选择器、列译码器和行译码器，其中，所述位线同第一多路选择器相连接，所述第一字线和第二字线同第二多路选择器相连接，列译码器连接至第一多路选择器，行译码器连接至第二多路选择器，且第一多路选择器和第二多路选择器同外部读写装置相连接，实现对存储阵列内的不同存储器的选择。

7.一种多功能存储单元的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成电荷俘获式存储器，所述电荷俘获式存储器包括存储叠层结构以及在存储叠层结构两侧衬底内的源漏区；

在位于叠层结构一侧的源漏区上形成阻变存储器。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在形成电荷俘获式存储器的源漏区之后，形成阻变存储器下电极之前，还包括步骤：在所述叠层结构一侧的源漏区上形成掺杂氧化层，所述掺杂氧化层具有同源漏区相反的掺杂类型。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述掺杂氧化层为掺杂的二氧化硅。

10.根据权利要求7-9中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述阻变存储器一侧的源漏区的面积大于另一侧源漏区的面积。