[发明专利]金属P型半导体结四极管式热电转换和制冷制热装置无效
申请号: | 201110122599.2 | 申请日: | 2011-05-12 |
公开(公告)号: | CN102779937A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 冯建明 | 申请(专利权)人: | 冯建明 |
主分类号: | H01L35/32 | 分类号: | H01L35/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315500 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 半导体 结四极管式 热电 转换 制冷 制热 装置 | ||
技术领域
本发明是关于热电转换和制冷制热装置的,更具体地说,本发明是关于由两块金属材料板和两块P型半导体板依次相互接触组成的金属P型半导体结四极管式热电转换和制冷制热装置。
背景技术
目前,市场上尚未见到由两块金属材料板和两块P型半导体板依次相互接触组成的金属P型半导体结四极管式热电转换和制冷制热装置。
发明内容
本发明的目的是提供一种结构简单的、即能用于热电转换又能用于制冷或制热的热电转换和制冷制热装置。
本发明的技术方案是:由两块金属材料板和两块P型半导体板依次相互接触构成,两块金属材料板分别是金属材料板1和金属材料板3,两块P型半导体板分别是P型半导体板2和P型半导体板4。金属材料板1和金属材料板3的形状和大小可以是一样的,也可以是金属材料板1的厚度与金属材料板3的厚度是不一样的,P型半导体板2和P型半导体板4的形状和大小可以是一样的,也可以是P型半导体板2的厚度与P型半导体板4的厚度是不一样的。金属材料板1和金属材料板3的材料为同一种金属材料,P型半导体板2和P型半导体板4的材料为同一种P型半导体材料。金属材料板1的右表面与P型半导体板2的左表面接触在一起,P型半导体板2的右表面与金属材料板3的左表面接触在一起,金属材料板3的右表面与P型半导体板4的左表面接触在一起。
金属材料与P型半导体在处于热源中接触在一起时,在接触面处要发生电子和空穴的扩散,表现在:金属材料中的电子要向P型半导体中扩散,P型半导体中的空穴要向金属材料中扩散。本发明中,金属材料板1的右表面与P型半导体板2的左表面接触在一起,P型半导体板2的右表面与金属材料板3的左表面接触在一起,金属材料板3的右表面与P型半导体板4的左表面接触在一起。因此,本发明能产生如下的一些有益效果:
1)当本发明中的金属P型半导体结四极管式热电转换和制冷制热装置在处于热源中时,在金属材料板1的右表面与P型半导体板2的左表面的接触处,金属材料板1中的电子要向P型半导体板2中扩散,P型半导体板2中的空穴要向金属材料板1中扩散;在P型半导体板2的右表面与金属材料板3的左表面的接触处,P型半导体板2中的空穴要向金属材料板3中扩散,金属材料板3中的电子要向P型半导体板2中扩散;在金属材料板3的右表面与P型半导体板4的左表面的接触处,金属材料板3中的电子要向P型半导体板4中扩散,P型半导体板4中的空穴要向金属材料板3中扩散。
2)当本发明中的金属P型半导体结四极管式热电转换和制冷制热装置在处于热源中时,从金属材料板3中扩散到P型半导体板2和P型半导体板4中的电子数、即从金属材料板3中扩散出去的电子数多于从金属材料板1扩散到P型半导体板2中的电子数、即从金属材料板1中扩散出去的电子数,从P型半导体板2中扩散到金属材料板1和金属材料板3中的空穴数、即从P型半导体板2中扩散出去的空穴数多于从P型半导体板4扩散到金属材料板3中的空穴数、即从P型半导体板4中扩散出去的空穴数。
3)当本发明中的金属P型半导体结四极管式热电转换和制冷制热装置在处于热源中时,金属材料板3中的电子数少于金属材料板1中的电子数,金属材料板3中的空穴数多于金属材料板1中的空穴数,P型半导体板2中的电子数多于P型半导体板4中的电子数,P型半导体板2中的空穴数少于P型半导体板4中的空穴数。
4)当本发明中的金属P型半导体结四极管式热电转换和制冷制热装置在处于热源中时,从金属材料板1的右表面扩散到P型半导体板2的左表面处的电子数多于从金属材料板3的左表面扩散到P型半导体板2的右表面处的电子数,从P型半导体板2的左表面扩散到金属材料板1的右表面处的空穴数多于从P型半导体板2的右表面扩散到金属材料板3的左表面处的空穴数,从金属材料板3的右表面扩散到P型半导体板4的左表面处的电子数多于从金属材料板3的左表面扩散到P型半导体板2的右表面处的电子数,从P型半导体板4的左表面扩散到金属材料板3的右表面处的空穴数多于从P型半导体板2的右表面扩散到金属材料板3的左表面处的空穴数。
5)当本发明中的金属P型半导体结四极管式热电转换和制冷制热装置在处于热源中时,金属材料板3中的电势高于金属材料板1中的电势,P型半导体板4中的电势高于P型半导体板2中的电势,在金属材料板3与金属材料板1之间存在着电势差,在P型半导体板4与P型半导体板2之间存在着电势差,如图2所示。
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