[发明专利]反射型或透反射型液晶显示设备的阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110122829.5 申请日: 2011-05-05
公开(公告)号: CN102236230A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 李载钧;吴载映 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;谢雪闽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 反射 液晶显示 设备 阵列 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于液晶显示设备的阵列基板,包括:

基板;

在基板上并且彼此交叉以定义像素区域的栅极线和数据线;

连接到所述栅极线和数据线的薄膜晶体管;

在所述薄膜晶体管上的第一钝化层,在该第一钝化层的上表面上具有第一不平坦结构;

在所述第一钝化层上的辅助不平坦层,在该辅助不平坦层的上表面上具有第一粗糙结构;和

在所述辅助不平坦层上的反射体,该反射体由于所述第一钝化层的第一不平坦结构而具有第二不平坦结构,并且由于所述辅助不平坦层的第一粗糙结构而具有第二粗糙结构,所述第二粗糙结构具有比所述第二不平坦结构小的图案。

2.根据权利要求1的阵列基板,其中所述第一钝化层由无机绝缘材料形成,且具有有角轮廓的横截面,或者由有机绝缘材料形成,且具有曲线轮廓的横截面。

3.根据权利要求1的阵列基板,其中所述辅助不平坦层由包含锗的材料形成,并且通过包含过氧化氢(H2O2)的蚀刻剂进行处理。

4.根据权利要求3的阵列基板,其中包含锗的材料是锗(Ge)、硅化锗(GeSi)和碳化锗(GeC)中的一种。

5.根据权利要求1的阵列基板,其中所述第一钝化层和辅助不平坦层具有暴露出所述薄膜晶体管的漏电极的漏极接触孔,并且所述反射体通过该漏极接触孔连接到漏电极。

6.根据权利要求1的阵列基板,其中所述像素区域包括反射区和透射区,所述反射体和辅助不平坦层布置在所述反射区中,在所述反射体上形成第二钝化层,并且在所述第二钝化层上形成像素电极,其中所述像素电极对应于所述反射区和透射区。

7.根据权利要求6的阵列基板,其中所述第二钝化层和第一钝化层具有暴露出所述薄膜晶体管的漏电极的漏极接触孔,并且所述像素电极通过该漏极接触孔连接到漏电极。

8.根据权利要求7的阵列基板,其中所述第一钝化层具有对应于所述透射区的透射孔。

9.根据权利要求1的阵列基板,进一步包括在基板上并平行于栅极线的公共线,其中所述薄膜晶体管的漏电极与公共线重叠,以形成存储电容器。

10.一种用于液晶显示设备的阵列基板的制造方法,包括:

在基板上形成栅极线和数据线,所述栅极线和数据线彼此交叉以定义像素区域;

形成连接到所述栅极线和数据线的薄膜晶体管;

在所述薄膜晶体管上形成第一钝化层,并且在该第一钝化层的上表面具有第一不平坦结构;

在所述第一钝化层上形成辅助不平坦层,并且在该辅助不平坦层的上表面具有第一粗糙结构;和

在所述辅助不平坦层上形成反射体,该反射体由于所述第一钝化层的第一不平坦结构而具有第二不平坦结构,并且由于所述辅助不平坦层的第一粗糙结构而具有第二粗糙结构,所述第二粗糙结构具有比所述第二不平坦结构小的图案。

11.根据权利要求10的方法,其中形成第一钝化层包括:

在所述薄膜晶体管上形成无机绝缘材料层;

在所述无机绝缘材料层上形成光致抗蚀剂图案,该光致抗蚀剂图案彼此不规则地分隔开,并且具有不同的宽度;

利用所述光致抗蚀剂图案作为掩模,选择性地干蚀刻所述无机绝缘材料层,以形成凹进部分和凸出部分,其中所述凸出部分对应于所述光致抗蚀剂图案;和

去除所述光致抗蚀剂图案。

12.根据权利要求10的方法,其中形成所述第一钝化层包括:

在所述薄膜晶体管上形成有机绝缘材料层;

通过包含不规则排列的透光部分和遮光部分的掩模,将所述有机绝缘材料层暴露于光;

对所述曝光的有机绝缘材料层进行显影,以形成凹进部分和凸出部分;和

对所述显影的有机绝缘材料层进行热处理,以便所述第一钝化层具有曲线轮廓的横截面。

13.根据权利要求12的方法,进一步包括在所述薄膜晶体管和所述第一钝化层之间形成第二钝化层的步骤,其中所述第二钝化层包括无机绝缘材料。

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