[发明专利]一种形成穿透硅通孔的方法无效
| 申请号： | 201110123312.8 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102208363A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 宋崇申 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 穿透 硅通孔 方法 | ||
1.一种形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：包括以下步骤：
第一步，在硅衬底正面刻蚀环形槽；
第二步，对所述环形槽进行热氧化处理，使得所述环形槽被氧化硅层封闭；
第三步，在所述硅衬底正面制作电互连层，所述电互连层的底部贴于所述环形槽内部的硅衬底上；
第四步，从所述硅衬底背面减薄所述硅衬底，直至被所述氧化硅层封闭的所述环形槽的背部露出；
第五步，刻蚀被所述氧化硅层封闭的所述环形槽内部的硅衬底，使其被全部移除，在所述环形槽内侧形成深孔；
第六步，向所述深孔中填充导电材料，形成所述穿透硅通孔。
2.根据权利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：所述环形槽的宽度范围为0.5μm～3μm，所述环形槽的深度等于或者大于要获得的所述穿透硅通孔的长度。
3.根据权利要求2所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：所述环形槽在开口处的宽度等于或者大于所述环形槽在其深处的宽度。
4.根据权利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：所述热氧化处理过程为表面反应控制的类型。
5.根据权利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：所述电互连层包含至少一层导电材料。
6.根据权利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：所述电互连层所选用的导电材料是铜或者铝。
7.根据权利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：在从所述硅衬底背面减薄所述硅衬底之前，先将所述硅衬底与另一由玻璃、硅或者蓝宝石制成的衬底键合。
8.根据权利要求7所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：从所述硅衬底背面减薄所述硅衬底时采用研磨结合抛光的方法进行。
9.根据权利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：在刻蚀被所述氧化硅层封闭的所述环形槽内部的硅衬底之前，在所述环形槽外部的硅衬底背面制作电介质层。
10.根据权利要求1所述的形成穿透硅通孔的方法，其特征在于：对被所述氧化硅层封闭的所述环形槽内部的硅衬底进行刻蚀的方法是深反应离子刻蚀方法或者湿法腐蚀方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
