[发明专利]基板镶接式多晶片封装制程与构造有效
| 申请号： | 201110123653.5 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102779760A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 麻海航 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/58;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板镶接式 多晶 封装 构造 | ||
1.一种基板镶接式多晶片封装制程，其特征在于，所述基板镶接式多晶片封装制程包含：
提供一第一基板与一第二基板，第一基板的一侧边具有一第一镶嵌部，第二基板的一侧边具有一第二镶嵌部，并且第一基板的尺寸大于第二基板的尺寸；
设置至少一记忆体晶片于第一基板上；
设置一控制器晶片于第二基板上；
当记忆体晶片与控制器晶片分别设置于第一基板与第二基板之后，以卡接第一镶嵌部与第二镶嵌部的方式结合第一基板与第二基板；以及
形成一封胶体于第一基板与第二基板上。
2.根据权利要求1的基板镶接式多晶片封装制程，其特征在于，所述第一基板与第二基板为水平并排方式拼接。
3.根据权利要求1的基板镶接式多晶片封装制程，其特征在于，所述封胶体为模封环氧化合物并密封记忆体晶片与控制器晶片。
4.根据权利要求3的基板镶接式多晶片封装制程，其特征在于，所述封胶体具有一嵌入式闪存模块的外形。
5.根据权利要求1、2、3或4的基板镶接式多晶片封装制程，其特征在于，所述第一镶嵌部为一槽内两侧都设有多个第一接触垫的插槽，并且第二镶嵌部为一上下表面都设有多个第二接触垫的对应插头。
6.一种基板镶接式多晶片封装构造，其特征在于，所述基板镶接式多晶片封装构造包含：
一第一基板与一第二基板，第一基板的一侧边具有一第一镶嵌部，第二基板的一侧边具有一第二镶嵌部，并且第一基板的尺寸大于第二基板的尺寸；
至少一记忆体晶片，其设置于第一基板上；
一控制器晶片，其设置于第二基板上，其中，所述第一基板与第二基板以卡接第一镶嵌部与第二镶嵌部的方式结合；以及
一封胶体，其形成于第一基板与第二基板上。
7.根据权利要求6的基板镶接式多晶片封装构造，其特征在于，所述第一基板与第二基板为水平并排方式结合。
8.根据权利要求6的基板镶接式多晶片封装构造，其特征在于，所述封胶体为模封环氧化合物并密封记忆体晶片与控制器晶片。
9.根据权利要求8的基板镶接式多晶片封装构造，其特征在于，所述封胶体具有一嵌入式闪存模块的外形。
10.根据权利要求6的基板镶接式多晶片封装构造，其特征在于，所述第一镶嵌部为一槽内两侧都设有多个第一接触垫的插槽，并且第二镶嵌部为一上下表面都设有多个第二接触垫的对应插头。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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