[发明专利]硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201110124310.0 申请日: 2011-05-13
公开(公告)号: CN102201483A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 韩伟华;陈燕坤;李小明;张严波;杜彦东;杨富华 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/105 分类号: H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/18;B81C1/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 纳米 光栅 谐振 增强 光电 探测器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器,包括:

一硅衬底;

一氧化硅层,该氧化硅层制作在硅衬底上;

一工形台面结构,该工形台面结构制作在氧化硅层上,该工形台面结构的两端为P型电极和N型电极,该P型电极和N型电极之间连接有硅纳米线光栅共振腔结构;

一保护层,该保护层制作在工形台面结构的表面和侧面,在工形台面结构的两端的P型电极和N型电极上开有电极窗口;

一金属栅电极,该金属栅电极制作在硅纳米线共振腔结构的保护层上,并靠近N型电极的一侧;

两光电流输出金属电极,该光电流输出金属电极制作在工形台面结构的P型电极和N型电极上保护层的电极窗口内。

2.根据权利要求1所述的硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器,其中工形台面结构的材料为硅,该工形台面结构上的P型电极和N型电极的材料为Ni和Al。

3.根据权利要求1所述的硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器,其中保护层的材料为氧化硅或氮化硅,厚度为10-20nm。

4.根据权利要求1所述的硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器,其中的金属栅电极的材料为金或银,该金属栅电极为周期性的纳米金属栅光栅结构,激发的局域表面等离子体激元,能够有效地把光集中到亚波长光栅探测区域,增强光的表面透射和吸收。

5.一种硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器的制作方法,包括如下步骤:

a)取一包括硅衬底-氧化硅层-顶硅薄层的SOI基片;

b)在SOI基片的顶硅薄层上刻蚀出工形台面结构;

c)在工形台面结构上,采用电子束曝光套刻并刻蚀出工形台面结构两端之间连接部分的硅纳米线共振腔结构;

d)在工形台面结构的表面和侧面,气相沉积介质层,形成保护层;

e)在工形台面结构两端的P型电极和N型电极的保护层上,光刻电极窗口,分别注入P型和N型离子,在电极窗口内制作P型电极和N型电极;

f)进行退火,形成欧姆接触;

g)在工形台面结构两端之间的硅纳米线共振腔结构上的保护层上蒸发金属栅电极,该金属栅电极靠近N型电极的一侧;

h)在P型电极和N型电极上蒸发光电流输出金属电极,完成制作。

6.根据权利要求5所述的硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器,其中保护层的材料为氧化硅或氮化硅,该保护层的厚度为10-20nm。

7.根据权利要求5所述的硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器,其中的金属栅电极的材料为金或银,该金属栅电极为周期性的纳米金属栅光栅结构,激发的局域表面等离子体激元,能够有效地把光集中到亚波长光栅探测区域,增强光的表面透射和吸收。

8.根据权利要求5所述的硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器的制作方法,其中工形台面结构上制作的P型电极和N型电极的材料为Ni和Al。

9.根据权利要求5所述的硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器的制作方法,其中退火温度为400-500℃。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110124310.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top