[发明专利]一种有机薄膜晶体管器件及其制作方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上制备栅电极；

制备覆盖所述衬底和所述栅电极的绝缘层；

在所述绝缘层上制备与所述栅电极位置重叠的光刻胶图案；

在所述光刻胶图案两侧的绝缘层上制备源电极、漏电极；

剥离所述光刻胶图案；

制备有机半导体层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上制备栅电极，具体包括：

在所述衬底上制备栅电极金属层，光刻所述金属层，得到栅电极；或

用阴影掩膜覆盖所述衬底，在覆盖所述阴影掩膜后的衬底上制备栅电极金属层，去掉所述阴影掩膜后得到栅电极。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用热沉积或者化学气相沉积的方法制备覆盖所述衬底和所述栅电极的绝缘层；或

采用旋涂的方法制备覆盖所述衬底和所述栅电极的绝缘层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，采用热沉积或者化学气相沉积的方法制备时，所述绝缘层的材料为氧化钽Ta₂O₅、氧化钛TiO₂、氧化锆ZrO₂、氧化铝Al₂O₃、氮化硅SiN_X、氧化硅SiO₂中的任何一种或者几种；或

采用旋涂的方法制备时，所述绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚乙烯苯酚、聚氨酯、酚醛树脂、聚偏氟乙烯中的任何一种或者几种。

5.如权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为100-400nm。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述绝缘层上制备与所述栅电极位置重叠的光刻胶图案，具体包括：

在所述绝缘层上涂覆光刻胶；

烘干所述光刻胶；

以栅电极为掩模板用紫外线从衬底底部对所述光刻胶进行曝光、显影；

显影后得到与所述栅电极位置重叠的光刻胶图案。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述涂覆光刻胶的方法是旋涂法，所述光刻胶的厚度为1.0-3.0μm。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述光刻胶图案两侧的绝缘层上制备源电极、漏电极，具体包括：

在所述光刻胶图案和绝缘层上制备源漏电极金属层；

光刻所述金属层，得到所述源电极、漏电极，其中，光刻后的所述光刻胶图案两侧的源漏电极金属层作为源电极和漏电极。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备有机半导体层，具体包括：

制备覆盖所述源电极、漏电极和绝缘层的有机半导体薄膜；

光刻所述有机半导体薄膜，得到所述有机半导体层。

10.一种有机薄膜晶体管器件，其特征在于，包括：

衬底；

栅电极，所述栅电极制备于所述衬底上；

绝缘层，所述绝缘层覆盖所述衬底和栅电极；

源电极和漏电极，所述源电极和漏电极制备于绝缘层上，与所述栅电极不交叠；和

有机半导体层，所述有机半导体层制备于所述源电极与漏电极之间且覆盖部分源电极和漏电极。