[发明专利]制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法

权利要求书

1.一种制备CdS/ZnO纳米管阵列光电极的方法，其特征是，所述的方法包括以下步骤：

(1)ZnO纳米管阵列的制备：在含有5mM Zn(Ac)₂和0.1M KCl的温度为85℃的去离子水溶液中，以清洗干净的导电玻璃作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极组成三电极体系；对所述的工作电极施加-1.0V的恒定电压，在所述的导电玻璃上得到ZnO纳米棒阵列；将生长有ZnO纳米棒阵列的导电玻璃基底浸泡于含有0.2M KOH的温度为85℃的去离子水溶液中，制得ZnO纳米管阵列；

(2)CdS的电沉积：在含有S粉和CdCl₂的二甲基亚砜溶液中，以步骤(1)制备得到的ZnO纳米管阵列作为工作电极，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极组成三电极体系；通过对所述的工作电极和对电极之间施加恒定电流，在所述的ZnO纳米管上沉积出CdS薄膜，将所述的工作电极从溶液中取出，清洗，用惰性气体吹干，得到所述的CdS/ZnO纳米管阵列光电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的导电玻璃为ITO玻璃或FTO玻璃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤(2)所述的含有S粉和CdCl₂的二甲基亚砜溶液的温度为75～95℃。

4.根据权利要求1或4所述的方法，其特征是：步骤(2)所述的含有S粉和CdCl₂的二甲基亚砜溶液中的S粉的浓度为0.01～0.2M，CdCl₂的浓度为0.005～0.02M。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤(2)所述的对工作电极和对电极之间施加的电流为1～4mA/cm²。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征是：步骤(2)所述的清洗是依次用温度为85℃的二甲基亚砜溶液、丙酮溶液、去离子水冲洗。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征是：将步骤(2)制备得到的CdS/ZnO纳米管阵列光电极在马弗炉中于350℃高温退火1小时。