[发明专利]一种TFT及TFT的制造方法无效
| 申请号： | 201110125495.7 | 申请日： | 2011-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102646593A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 姜春生;王东方;龙春平;成军;刘政;石磊;梁逸南 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tft 制造 方法 | ||
1.一种薄膜场效应晶体管TFT的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
对TFT除沟道区外的所有区域进行轻掺杂漏区掺杂；
使TFT栅极金属的源极电极一侧及漏极电极一侧均形成金属膜；
以所述金属膜为掩膜，对所述TFT源极及漏极注入第一离子。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对TFT除沟道区外的所有区域进行轻掺杂漏区掺杂的步骤包括：以TFT栅极金属刻蚀后的反转光刻胶PR作为掩膜，对TFT中除沟道区域外的所有区域注入第二离子。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二离子为硼离子。
4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述第二离子的注入量范围是1011-1012离子/平方厘米。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使TFT栅极金属的源极电极一侧及漏极电极一侧均形成金属膜的步骤包括：将所述TFT浸入化学镀液中，所述化学镀液中含有金属离子，依据氧化还原反应原理，将金属离子还原成金属而沉积在所述TFT的源极电极一侧表面及漏极电极一侧表面。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属离子为铜离子。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子为磷离子。
8.如权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述第一离子的注入量范围是1014--1015离子/平方厘米。
9.一种TFT，包括：晶硅层、栅极绝缘层及栅极金属；其特征在于，还包括：金属膜、掺杂区及轻掺杂漏区；
其中，所述掺杂区位于所述晶硅层内部，所述轻掺杂漏区位于所述掺杂区内部，所述栅极绝缘层贴覆于所述晶硅层之上，所述栅极金属贴覆于所述栅极绝缘层之上，所述金属膜附着于所述栅极金属外侧。
10.如权利要求9所述的TFT，其特征在于，所述TFT位于玻璃基板之上，所述TFT还包括：缓冲层及反转光刻胶PR；
其中，所述缓冲层贴覆于所述玻璃基板上，所述晶硅层贴覆于所述缓冲层上，所述PR贴覆于所述栅极金属之上。
11.如权利要求9或10所述的TFT，其特征在于，所述晶硅层由非晶硅或多晶硅制成。
12.如权利要求9所述的TFT，其特征在于，所述轻掺杂漏区为向晶硅层注入第二离子后形成。
13.如权利要求12所述的TFT，其特征在于，所述第二离子为硼离子。
14.如权利要求9所述的TFT，其特征在于，所述掺杂区为向轻掺杂漏区注入第一离子后形成。
15.如权利要求14所述的TFT，其特征在于，所述第一离子为磷离子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110125495.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：缓冲器
- 下一篇：主动式调节水柱压力闸门底缘装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
