[发明专利]一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法

权利要求书

1.一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征是：首先备料：将洗净后的多晶硅料及造渣剂均匀混合形成混合料；再预处理：将混合料放入电子束熔炼炉内的熔炼坩埚中，对熔炼坩埚进行坩埚水冷，预热电子枪；最后提纯：采用小束流电子束轰击混合料，混合料熔化后增大电子束至250-500mA进行熔炼，杂质硼在熔炼过程中与碱性造渣剂反应生成气体挥发而去除，冷却凝固得到低硼的多晶硅锭。

2.根据权利要求1所述的一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征是：所述备料：首先取高硼多晶硅料，用去离子水清洗4-5次，放入烘干箱中60℃烘干，将烘干的高硼多晶硅料与碱性造渣剂按比例均匀混合形成混合料。

3.根据权利要求1所述的一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征是：所述预处理：用真空泵组将电子束熔炼炉真空抽至0.002Pa以下；对底部带冷却的熔炼坩埚进行水冷，温度维持在25-45℃；预热电子枪，设置高压为28-30kV，高压预热5-10分钟后，关闭高压，电子枪束流设置为100-200mA，进行预热，预热10-15分钟后，关闭电子枪束流。

4.根据权利要求1所述的一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征是：所述提纯：打开电子枪的高压和束流，稳定后用电子枪以150-300mA束流轰击混合料，待混合料完全熔化后增大电子束的束流到250-500mA，此束流下熔炼10-30min，高温下熔池中杂质硼与氧化性碱性造渣剂反应生成气体而挥发去除，降低束流为零，熔池冷却凝固，形成低硼的多晶硅锭。

5.根据权利要求1－4任一所述的一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征是：所述碱性造渣剂为SiO₂-CaO-CaF₂，其中各组分所占的质量百分比为SiO₂20-40%，CaO40-60%和CaF₂10-30%。

6.根据权利要求1－4任一所述的一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征是：所述混合料中碱性造渣剂与多晶硅料的质量比为0.1-0.8。

7.根据权利要求1－4任一所述的一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征是：所述高硼多晶硅料为块料或粉料。