[发明专利]钛铈共掺杂钨酸钡发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件

权利要求书

1.一种钛铈共掺杂钨酸钡发光薄膜，其特征在于，该发光薄膜的化学通式为Ba_1-x-yW₂O₈:xCe³⁺，yTi⁴⁺；其中，Ba_1-x-yW₂O₈为基质，Ce和Ti为掺杂元素；x的取值范围为0.1～0.4，y的取值范围为0.05～0.3。

2.根据权利要求1所述的钛铈共掺杂钨酸钡发光薄膜，其特征在于，x的取值为0.2，y的取值为0.1。

3.一种钛铈共掺杂钨酸钡发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，根据化学通式Ba_1-x-yW₂O₈:xCe³⁺，yTi⁴⁺各元素化学计量比，称取BaO，WO₃，Ce₂O₃和TiO₂粉体，经过均匀混合后，在900～1300℃下烧结，制成靶材；其中，x的取值范围为0.1～0.4，y的取值范围为0.05～0.3；

步骤S2，将步骤S1中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置在1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa之间；

步骤S3，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为50～100mm，磁控溅射工作压强0.2～4.5Pa，氩气和氢气混合工作气体的流量15～30sccm，衬底温度为250℃～750℃；接着进行制膜，得到薄膜样品；

步骤S4，将步骤S3得到的薄膜样品于500～800℃下真空退火处理1～3h，得到化学通式为Ba_1-x-yW₂O₈:xCe³⁺，yTi⁴⁺的所述钛铈共掺杂钨酸钡发光薄膜；其中，Ba_1-x-yW₂O₈为基质，Ce和Ti为掺杂元素。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，x的取值为0.2，y的取值为0.1。

5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述靶材制备的烧结温度为1250℃。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，真空腔体的真空度设置在5.0×10^-4Pa。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述基靶间距为75mm；所述磁控溅射工作压强为2.0Pa；所述氩气和氢气混合工作气体的流量为25sccm；所述衬底温度为600℃。

8.根据权利要求3或7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，氩气和氢气混合工作气体中，氢气含量为1～15％(体积百分比)。

9.一种有机电致发光器件，该器件为复合层状结构，该复合层状结构依次为衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层为钛铈共掺杂钨酸钡发光薄膜，该发光薄膜的化学通式为Ba_1-x-yW₂O₈:xCe³⁺，yTi⁴⁺；其中，x的取值范围为0.1～0.4，y的取值范围为0.05～0.3。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，x的取值为0.2，y的取值为0.1。