[发明专利]降低铜电镀工艺中边缘效应的方法及铜互连结构制造方法有效
| 申请号： | 201110126350.9 | 申请日： | 2011-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102790009A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 电镀 工艺 边缘 效应 方法 互连 结构 制造 | ||
1.一种降低铜电镀工艺中边缘效应的方法，包括：
在基底表面形成第一金属籽晶层；
对所述第一金属籽晶层进行退火处理；
在所述第一金属籽晶层表面形成第二金属籽晶层；
在所述第二金属籽晶层表面形成铜金属层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属籽晶层的材料为铜、银、金、铜合金、银合金或金合金。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属籽晶层厚度为10nm～40nm。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理为低温退火工艺。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述第一金属籽晶层的材料为铜时，所述退火处理的工艺参数为：退火温度为150℃～400℃，退火时间为30s～180s，所述退火处理过程中O2含量小于5ppm。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属层籽晶层的材料为铜、银、金、铜合金、银合金或金合金。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属籽晶层厚度为5nm～20nm。
8.一种铜互连结构制造方法，包括：
提供衬底，在所述衬底表面形成介质层；
在所述介质层内形成沟槽；
在所述介质层表面、所述沟槽的侧壁和底部形成阻挡层；
在所述阻挡层表面形成第一金属籽晶层；
对所述第一金属籽晶层进行退火处理；
在所述第一金属籽晶层表面形成第二金属籽晶层；
在所述第二金属籽晶层表面形成填充所述沟槽的铜金属层；
平坦化铜金属层、第一金属籽晶层、第二金属籽晶层、阻挡层直至暴露出介质层，形成铜互连结构。
9.如权利要求8所述铜互连结构制造方法，其特征在于，所述第一金属籽晶层、第二金属籽晶层的材料为铜。
10.如权利要求8所述铜互连结构制造方法，其特征在于，所述退火处理的工艺参数为：退火温度为150℃～400℃，退火时间为30s～180s，所述退火处理过程中O2含量小于5ppm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110126350.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电能表安装固定支架
- 下一篇：一种伞骨式旋转压紧机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
