[发明专利]利用引线框实现电互连的多芯片模块(MCM)功率四方扁平无引线(PQFN)半导体封装

权利要求书

1.一种功率四方扁平无引线(PQFN)半导体封装，包括：

引线框，其包括多个芯片垫；

驱动集成电路(IC)，其耦合到所述引线框的第一芯片垫；

多个垂直传导功率器件，其包括第一组垂直传导功率器件和第二组垂直传导功率器件，所述第一组垂直传导功率器件耦合到所述引线框的第二芯片垫，所述第二组垂直传导功率器件单独地耦合到所述引线框的相应的芯片垫；

多个线键合，其提供在所述驱动IC、所述多个垂直传导功率器件，以及所述引线框的多个外部引线之间的电互连，其中所述第一组垂直传导功率器件中的一个的顶部表面电极被电连接到所述第二组垂直传导功率器件中的一个的底部表面电极。

2.根据权利要求1所述的PQFN半导体封装，其中所述封装被配置为全桥功率器件。

3.根据权利要求1所述的PQFN半导体封装，其中所述引线框用银选择性地电镀以增强粘合。

4.根据权利要求1所述的PQFN半导体封装，其中所述第一组垂直传导功率器件位于所述封装的第一边缘附近，以及其中所述第二组垂直传导功率器件位于所述封装的第二边缘附近。

5.根据权利要求1所述的PQFN半导体封装，其中所述多个垂直传导功率器件在数量上为六(6)，所述第一组垂直传导功率器件在数量上为三(3)以及所述第二组垂直传导功率器件在数量上为三(3)。

6.根据权利要求1所述的PQFN半导体封装，其中所述多个垂直传导功率器件包括功率MOSFET。

7.根据权利要求1所述的PQFN半导体封装，其中所述多个垂直传导功率器件包括IGBT。

8.根据权利要求1所述的PQFN半导体封装，其中所述封装的厚度为0.9毫米或更小。

9.根据权利要求1所述的PQFN半导体封装，其中所述封装的占用面积为12毫米乘12毫米或更小。

10.根据权利要求1所述的PQFN半导体封装，其中所述多个线键合包括球上针脚式键合(BSOB)方式的铜键合以连接到所述多个垂直传导功率器件的功率电极。

11.一种功率四方扁平无引线(PQFN)半导体封装，包括：

引线框；

驱动集成电路(IC)，其耦合到所述引线框；

多个垂直传导功率器件，其耦合到所述引线框；以及

多个线键合，其提供在所述驱动IC、所述多个垂直传导功率器件，以及所述引线框的多个外部引线之间的电互连，所述多个线键合包括从所述多个垂直传导功率器件中的一个的顶部表面电极到所述引线框的部分的第一线键合，其中所述引线框的所述部分被电连接到所述多个垂直传导功率器件中的另一个的底部表面电极。

12.根据权利要求11所述的PQFN半导体封装，其中所述封装被配置为全桥功率器件。

13.根据权利要求11所述的PQFN半导体封装，其中所述引线框用银选择性地电镀以增强粘合。

14.根据权利要求11所述的PQFN半导体封装，其中所述垂直传导功率器件被分为位于所述封装的第一边缘附近的单个的芯片垫上的第一组和位于所述封装的第二边缘附近的单独的芯片垫上的第二组，所述第一组包括所述多个垂直传导功率器件中的所述的一个，以及所述第二组包括所述多个垂直传导功率器件中的所述的另一个。

15.根据权利要求11所述的PQFN半导体封装，其中所述多个垂直传导功率器件在数量上为六(6)。

16.根据权利要求11所述的PQFN半导体封装，其中所述多个垂直传导功率器件包括功率MOSFET。

17.根据权利要求11所述的PQFN半导体封装，其中所述多个垂直传导功率器件包括IGBT。

18.根据权利要求11所述的PQFN半导体封装，其中所述封装的厚度为0.9毫米或更小。

19.根据权利要求11所述的PQFN半导体封装，其中所述封装的占用面积为12毫米乘12毫米或更小。

20.根据权利要求11所述的PQFN半导体封装，其中所述第一线键合包括球上针脚式键合(BSOB)方式的铜键合。