[发明专利]具有径向未对准补偿的分子粘附结合方法

权利要求书

1.一种通过分子粘附将第一晶片(100)结合到第二晶片(200)上的方法，所述晶片之间具有初始径向未对准(D_R)，所述方法至少包括接触步骤，使所述两个晶片(100，200)接触从而启动所述两个晶片之间的结合波的传播，

其特征在于在所述接触步骤期间，根据所述初始径向未对准(D_R)在所述两个晶片中的至少一个上施加预定结合曲率(K_B)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在结合波的传播期间，所述第二晶片(200)自由地适应于施加在所述第一晶片(100)上的所述预定结合曲率(K_B)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述晶片(100，200)是直径为300mm的圆形硅晶片，每个晶片包括微元件。

4.根据权利要求1到3中任意一项所述的方法，其特征在于在所述晶片(100，200)的结合之前，所述方法包括以下步骤：

-测量要补偿的两个晶片之间的初始径向未对准(D_R)，

-在结合之前测量每个晶片(100，200)的曲率(K₁，K₂)，

-确定针对所述两个晶片(100，200)之间的所述初始径向未对准(D_R)的补偿径向未对准(D_Rc)，

-计算能够产生所述两个晶片之间的所述补偿径向未对准(D_Rc)的结合后曲率(K_Fc)，

-根据所述计算的结合后曲率(K_Fc)计算所述预定结合曲率(K_c)。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于利用以下公式计算所述结合后曲率：

KF_c＝DR_c/(h·R)

其中KF_c是所述结合后曲率，DR_C是所述补偿径向未对准，h是所述第一晶片的厚度，R是从所述晶片的中心到所述径向未对准的测量点的距离。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于利用以下公式计算所述预定结合曲率：

K_B＝(8K_Fc-(K₁+K₂))/6

其中K_B是所述预定结合曲率，K₁是所述第一晶片的初始曲率，K₂是所述第二晶片的初始曲率，K_Fc是所述结合后曲率。

7.根据权利要求1到6中任意一项所述的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

-利用第一固定支撑件(310)和第二固定支撑件(320)分别彼此面对地固定所述第一晶片(100)和所述第二晶片(200)，所述第一支撑件在所述第一晶片上施加所述预定结合曲率，

-使所述晶片(100，200)接触，从而发起所述晶片之间的结合波的传播，

-在与所述第一晶片(100)接触之前或期间，从所述第二固定支撑件(320)释放所述第二晶片(200)，从而在所述结合波的传播期间所述第二晶片适应于施加到所述第一晶片上的结合曲率。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于通过激励安装在所述第一固定支撑件上的起重器(312)将所述预定结合曲率(K_c)施加到所述第一晶片(100)上。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于通过所述第一晶片(100)和第一支撑件(310)之间的隔膜将所述预定结合曲率施加到所述第一晶片(100)上，所述隔膜具有对应于所述预订结合曲率的曲率。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于通过所述第一固定支撑件(310)将所述预定结合曲率施加到所述第一晶片(100)上，所述第一固定支撑具有对应于所述预定结合曲率的曲率。

11.根据权利要求1到10中任意一项所述的方法，其特征在于所述晶片(100，200)的每一个在其各自的结合表面上包括微元件(110，210)，所述晶片中的一个(100)的至少一些微元件要与另一个晶片(200)的至少一些微元件(210)对准。