[发明专利]托盘装置及结晶膜生长设备有效
申请号: | 201110126511.4 | 申请日: | 2011-05-16 |
公开(公告)号: | CN102787303A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 古村雄二;张建勇;张秀川;徐亚伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张天舒;陈源 |
地址: | 100015 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 托盘 装置 结晶 生长 设备 | ||
1.一种托盘装置,用于承载被加工基片,其包括多个层叠设置的托盘,并且相邻托盘之间具有一定间距,其特征在于,所述托盘装置还包括旋转机构,其至少与一个托盘连接并借助于托盘之间的层叠结构而带动所述多个托盘进行旋转运动;以及限位机构,其与所述托盘连接,用于对所述多个托盘的位置进行限定。
2.根据权利要求1所述的托盘装置,其特征在于,所述多个托盘沿纵向层叠设置,在除最底层托盘以外的各托盘的背面设置第一凸起部,并在与背面设置有第一凸起部的各托盘相对设置的托盘的正面设置与所述第一凸起部相配合的第二凹进部;和/或
在除最底层托盘以外的各托盘的背面设置第一凹进部,并在与背面设置有第一凹进部的各托盘相对设置的托盘的正面设置与所述第一凹进部相配合的第二凸起部;并且
借助于所述第一凸起部和第二凹进部之间的配合和/或所述第二凸起部和第一凹进部之间的配合,而将相邻托盘彼此保持一定间距地叠置在一起。
3.根据权利要求2所述的托盘装置,其特征在于,所述限位机构包括至少一个限位杆以及数量与所述托盘的数量相对应的固定部件,所述限位杆设置在所述托盘的外围并沿托盘层叠方向延伸,所述固定部件连接在所述限位杆和所述托盘之间而将二者固定在一起,以限定各托盘之间的相互位置关系。
4.根据权利要求2所述的托盘装置,其特征在于,所述限位机构包括至少一个限位杆以及至少一个固定部件,在各托盘的边缘位置处设置与所述限位杆相对应的限位孔,所述限位杆沿托盘层叠方向延伸并穿过各托盘上的限位孔,所述固定部件连接在所述限位杆和相应托盘之间并将二者固定在一起,以限定各托盘之间的相互位置关系。
5.根据权利要求2所述的托盘装置,其特征在于,所述限位机构包括至少一个限位杆,在除最下层托盘之外的各个托盘的边缘位置处设置与所述限位杆相对应的限位孔,并且在最下层托盘上的与其他各托盘中的限位孔相对应的位置处设置与所述限位杆相配合的限位凹槽,所述限位杆贯穿除最下层托盘之外的各个托盘上的限位孔并且嵌抵在最下层托盘的限位凹槽内。
6.根据权利要求5所述的托盘装置,其特征在于,所述限位机构还包括连接在所述限位杆和所述托盘之间并将二者固定在一起的固定部件。
7.根据权利要求2-6中任意一项所述的托盘装置,其特征在于,所述限位杆的数量为N,其中N为大于等于2的整数,所述N个限位杆沿所述托盘的周向均匀排列。
8.根据权利要求1所述的托盘装置,其特征在于,所述托盘的材料包括石墨、钼或钼合金,相应地,所述限位杆的材料包括石墨、钼或钼合金。
9.根据权利要求3、4和6中任意一项所述的托盘装置,其特征在于,所述固定部件包括:与所述限位杆相连的支撑臂,以及一端连接所述支撑臂、另一端嵌入相应托盘的定位销。
10.一种结晶膜生长设备,包括工艺腔室、工艺气体输送系统及排气系统,其特征在于,所述工艺腔室内设置有权利要求1-9中任意一项所述的托盘装置,用以在工艺过程中承载基片。
11.根据权利要求10所述的结晶膜生长设备,其特征在于,所述托盘呈环状结构,所述工艺气体输送系统沿所述多个托盘的层叠方向贯穿所述层叠设置的托盘的中空部分,并且该工艺气体输送系统包括工艺气体进气口及工艺气体出气口,所述工艺气体进气口将工艺气体自工艺腔室之外引入所述工艺气体输送系统,所述工艺气体输送系统中的工艺气体经由工艺气体出气口而进入到工艺腔室内并到达托盘装置所承载的各基片。
12.根据权利要求11所述的结晶膜生长设备,其特征在于,在所述工艺气体输送系统上对应于每一个托盘而设置有工艺气体出气口,以使工艺气体被直接输出至每一个托盘。
13.根据权利要求10所述的结晶膜生长设备,其特征在于,在工艺气体输送系统中还设置有用以辅助输送工艺气体的工艺气体补偿通道。
14.根据权利要求10所述的结晶膜生长设备,其特征在于还包括过滤腔室,其设置在工艺腔室与排气系统之间,并通过若干通孔而与工艺腔室连通。
15.根据权利要求14所述的结晶膜生长设备,其特征在于,所述过滤腔室包括多个层叠设置的过滤基板,每一个过滤基板均由多孔材料制成且其上设置有若干通孔。
16.根据权利要求15所述的结晶膜生长设备,其特征在于,所述过滤基板由石墨材料制成且其表面具有SiC涂层,并且相邻的过滤基板上的通孔彼此错开。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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