[发明专利]用于在半导体结构中形成绝缘层的方法及其由此产生的结构

权利要求书

1.一种用于制造半导体结构的方法，包括：

在半导体基底上形成第一半导体底层结构；

在所述第一半导体底层结构和所述半导体基底上形成第一分隔层；以及

在所述第一分隔层的至少一部分上形成第二半导体底层结构。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一分隔层和所述第二半导体底层结构上形成第二分隔层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体结构包括至少一个绝缘栅场效晶体管(IGFET)。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述半导体结构包括电容器。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一半导体底层结构包括：

沉积多晶硅底层结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一分隔层包括：

沉积复合的厚的栅极绝缘体的一部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一分隔层包括：

使用化学气相沉积(CVD)、低压CVD(LPCVD)和等离子增强CVD(PECVD)工艺中的至少一个来沉积电介质层。

8.一种用于制造半导体结构的方法，包括：

在半导体基底上形成薄的栅极绝缘层；

在所述薄的栅极绝缘层上形成第一分隔层；以及

在所述第一分隔层上形成半导体底层结构，其中，所述半导体基底与所述半导体底层结构之间的所述薄的栅极绝缘层和所述第一分隔层形成了复合的栅极绝缘层。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述第一分隔层和所述半导体底层结构上形成第二分隔层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

定义所述薄的栅极绝缘层的第一表面区域、所述第一分隔层和所述第二分隔层的第二表面区域以及所述半导体底层结构的第三表面区域；以及

暴露所述第一表面区域和所述第二表面区域以及所述第三表面区域。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，定义第一表面区域和第二表面区域包括：

定义复合的厚的栅极绝缘层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，暴露第二表面区域和第三表面区域包括：

暴露与所述半导体底层结构的至少一个侧壁相邻的复合的厚的栅极绝缘层。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，形成第二分隔层包括：

在CVD、LPCVD和PECVD工艺中的至少一个期间使用电介质材料来沉积所述第二分隔层。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，形成第二分隔层包括：

使用低温操作来沉积所述第二分隔层。

15.一种用于制造多个半导体结构的方法，包括：

在包括第一导电型的第一阱和第二阱的半导体晶片的表面上生长薄的栅极绝缘层；

在所述薄的栅极绝缘层和所述第一阱上沉积第一半导体底层结构；

在所述薄的栅极绝缘层和所述第一半导体底层结构上沉积第一分隔层；

在所述第一分隔层和所述第二阱上沉积第二半导体底层结构；

在所述第一分隔层和所述第二半导体底层结构上沉积第二分隔层；

图案化光阻材料以定义所述薄的栅极绝缘层的第一表面区域、所述第一分隔层和所述第二分隔层的第二表面区域、所述第二半导体底层结构的第三表面区域以及所述第一半导体底层结构的第四表面区域；以及

蚀刻所述第一表面区域、所述第二表面区域、所述第三表面区域和所述第四表面区域。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述蚀刻包括：

暴露所述第一半导体底层结构的表面、所述第二半导体底层结构的表面和复合的厚的栅极绝缘层的表面，其中，所述第二分隔层与所述第二半导体底层结构的至少一个侧壁的一部分相邻。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述蚀刻包括：

暴露所述第一半导体底层结构的表面、所述第二半导体底层结构的表面和复合的厚的栅极绝缘层的表面，其中，所述第二分隔层与所述第二半导体底层结构的至少一个完整侧壁相邻。