[发明专利]一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触制作方法有效
| 申请号： | 201110127037.7 | 申请日： | 2011-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102231363A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 宋建博;张志国;于峰涛;王勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;C23C14/18;C23C14/30 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050000 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 接触 电阻 粗糙 欧姆 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触的制作方法，其特征在于所述制作方法包括以下步骤：
A.蒸发形成欧姆接触：将处理洁净的的金属源（包括金属Ti，Al，Ni，Mo和Au）放入电子束蒸发台的坩埚中，之后进行熔源工艺，使金属满足蒸发需要；之后将光刻好欧姆接触图形的GaN外延材料晶圆放置在电子束蒸发台的行星架上，待电子束蒸发台腔室内真空度抽至7×10-7Torr，按Ti、Al、Ni、Mo、Au顺序依次进行金属蒸发过程，形成欧姆接触；
B.剥离：将蒸发好的晶圆分别在加热平台上的热1165溶液、丙酮、异丙醇中依次浸泡，在每种溶液中浸泡的时间至少为10分钟，最后用去离子水冲洗，氮气吹干；
C.合金：将晶圆在快速热处理设备中进行高温快速热处理；
D.测试：用探针台和图示仪组成的直流参数测试系统测试合金后的接触电阻值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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