[发明专利]半导体芯片的封装体及组装方法

权利要求书

1.一种半导体芯片封装体，其特征在于，包括：

一基座及设置在基座周围的多个焊盘；

一芯片，通过导电材料将芯片的底面粘贴在位于基座的顶面的基岛区；

设有一弯折的延伸结构的金属片，所述金属片的底面通过导电材料与在芯片的顶面设置的源极金属层黏接，且所述延伸结构位于所述焊盘包含的源极焊盘所设置的一V形结构的凹槽中；以及

用于塑封包覆所述芯片、基座、金属片、焊盘的塑封体，其中，所述基座的底面外露于塑封体的底面；

其中，所述源极金属层构成所述芯片的源极电极，所述芯片的漏极电极位于所述芯片的底面；

所述焊盘还包含一个栅极焊盘和多个漏极焊盘，所述漏极焊盘与基座连接。

2.如权利要求1所述的半导体芯片封装体，其特征在于，所述金属片的顶面外露于塑封体的顶面。

3.如权利要求1所述的半导体芯片封装体，其特征在于，所述V形结构的凹槽的两个斜面终止在所述源极焊盘的一水平上表面。

4.如权利要求3所述的半导体芯片封装体，其特征在于，所述V形结构的凹槽为对称V形槽。

5.如权利要求1所述的半导体芯片封装体，其特征在于，至少一个所述V形结构的凹槽所包含的斜面与所述延伸结构无缝隙紧密接触。

6.如权利要求1所述的半导体芯片封装体，其特征在于，通过设置在所述V形结构的凹槽中的导电材料将所述延伸结构与所述源极焊盘电性连接。

7.如权利要求1所述的半导体芯片封装体，其特征在于，还包括将芯片顶面设置的引线键合区所包含的栅极金属层与栅极焊盘电性连接的键合引线，其中栅极金属层构成芯片的栅极电极。

8.一种半导体芯片封装体的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供包含多个由互为镜像对称的第一基座、第二基座构成的芯片安装单元的引线框架，芯片安装单元还包含设置于第一基座周围的多个第一类焊盘及设置于第二基座周围的多个第二类焊盘，其中第一类焊盘和第二类焊盘互为镜像对称；

利用导电材料，将第一芯片粘贴至第一基座顶面的基岛区、第二芯片粘贴至第二基座顶面的基岛区，其中第一芯片与第二芯片互为镜像对称；

利用导电材料，将通过连接片连接在一起的第一金属片和第二金属片分别黏接在设置于第一芯片的顶面的第一源极金属层上和设置于第二芯片的顶面的第二源极金属层上，其中第一金属片和第二金属片互为镜像对称；

进行塑封工艺，利用塑封料塑封引线框架、第一芯片、第二芯片、第一金属片、第二金属片，形成引线框架上多个以塑封料塑封包覆芯片安装单元、第一芯片、第二芯片、第一金属片、第二金属片的组合封装单元；

切割连接片；

切割塑封料及引线框架以将组合封装单元对称分割开并从引线框架上分离以形成互为镜像对称的第一和第二封装体。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，第一源极金属层构成第一芯片的源极电极，粘贴于第一基座顶面的基岛区的第一芯片的底面构成第一芯片的漏极电极；

第二源极金属层构成第二芯片的源极电极，粘贴于第二基座顶面的基岛区的第二芯片的底面构成第二芯片的漏极电极；

所述的第一类焊盘包含第一栅极焊盘、第一源极焊盘和多个第一漏极焊盘，其中，第一漏极焊盘均与第一基座连接；并且

所述的第二类焊盘包含第二栅极焊盘、第二源极焊盘和多个第二漏极焊盘，其中，第二漏极焊盘均与第二基座连接；

其中，所述的第一栅极焊盘与所述的第二栅极焊盘结构相同且镜像对称，所述的第一源极焊盘与所述的第二源极焊盘结构相同且镜像对称，任意一个第一漏极焊盘相对应的与一个第二漏极焊盘结构相同且镜像对称。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，将第一金属片和第二金属片分别黏接在第一源极金属层上和第二源极金属层上的过程还包括：

将第一金属片设置的一弯折的第一延伸结构嵌入第一源极焊盘所设置的第一凹槽中，同时将第二金属片设置的一弯折的第二延伸结构嵌入第二源极焊盘所设置的第二凹槽中。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，利用键合引线，将第一芯片顶面设置的构成第一芯片栅极电极的第一栅极金属层与第一栅极焊盘键合连接、将第二芯片顶面设置的构成第二芯片栅极电极的第二栅极金属层与第二栅极焊盘键合连接。