[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供倒装芯片半导体管芯和第一衬底；

在第一衬底中在倒装芯片半导体管芯到第一衬底的置放中心的位置中形成开口；

在第一衬底中的开口上将倒装芯片半导体管芯安装到第一衬底；

将多个半导体管芯安装到第二衬底；

在所述多个半导体管芯和第二衬底上沉积密封剂；

将第二衬底安装到第一衬底；

通过倒装芯片半导体管芯和第一衬底之间的第一衬底中的开口分配底部填充剂材料；以及

当底部填充剂材料接近或到达倒装芯片半导体管芯的周边时停止底部填充剂材料的分配以减少底部填充剂材料的渗出。

2.根据权利要求1的方法，进一步包括在第一衬底中形成多个开口，所述多个开口均匀地分布在倒装芯片半导体管芯到第一衬底的中心置放位置周围。

3.根据权利要求1的方法，进一步包括：

在第一衬底的表面上形成多个凸块；以及

回流所述凸块以将第二衬底安装到第一衬底。

4.根据权利要求3的方法，进一步包括二次回流所述凸块。

5.根据权利要求1的方法，进一步包括：

在倒装芯片半导体管芯的表面上形成多个凸块；以及

回流所述凸块以将倒装芯片半导体管芯安装到第一衬底。

6.根据权利要求1的方法，进一步包括固化底部填充剂材料。

7.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供第一半导体管芯和第一衬底；

在第一衬底中形成开口；

在第一衬底中的开口上将第一半导体管芯安装到第一衬底；

将多个第二半导体管芯安装到第二衬底；

将第二衬底安装到第一衬底；

通过第一半导体管芯和第一衬底之间的第一衬底中的开口分配底部填充剂材料；以及

当底部填充剂材料接近或到达倒装芯片半导体管芯的周边时停止底部填充剂材料的分配。

8.根据权利要求7的方法，其中第一衬底中的开口位于第一半导体管芯到第一衬底的置放位置的中心。

9.根据权利要求7的方法，进一步包括在第一衬底中形成多个开口，所述多个开口均匀地分布在倒装芯片半导体管芯到第一衬底的中心置放位置周围。

10.根据权利要求7的方法，进一步包括在第二半导体管芯和第二衬底上沉积密封剂。

11.根据权利要求7的方法，进一步包括：

在第一衬底的表面上形成多个凸块；以及

回流所述凸块以将第二衬底安装到第一衬底。

12.根据权利要求7的方法，其中第一半导体管芯是倒装芯片半导体管芯。

13.根据权利要求7的方法，进一步包括固化底部填充剂材料。

14.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯和衬底；

在第一衬底中形成开口；

在第一衬底中的开口上将第一半导体管芯安装到第一衬底；

提供层叠封装（PoP）半导体组件；

将PoP半导体组件安装到半导体管芯上的衬底；以及

通过半导体管芯和衬底之间的衬底中的开口分配底部填充剂材料。

15.根据权利要求14的方法，进一步包括当底部填充剂材料接近或到达半导体管芯的周边时停止底部填充剂材料的分配。

16.根据权利要求14的方法，其中衬底中的开口位于半导体管芯到衬底的置放位置的中心。

17.根据权利要求14的方法，进一步包括在衬底中形成多个开口，所述多个开口均匀地分布在半导体管芯到衬底的中心置放位置周围。

18.根据权利要求14的方法，进一步包括：

在衬底的表面上形成多个凸块；以及

回流所述凸块以将PoP半导体组件安装到衬底。

19.根据权利要求14的方法，其中半导体管芯是倒装芯片半导体管芯。

20.根据权利要求14的方法，进一步包括固化底部填充剂材料。