[发明专利]晶片级封装

权利要求书

1.一种晶片级封装，所述晶片级封装包括：

重布图案，形成在半导体基底上；

第一包封剂图案，设置在重布图案上，第一包封剂图案具有暴露重布图案的一部分的通孔；

外部连接端子，形成在重布图案的暴露部分上，

其中，通孔具有侧壁，通孔的侧壁的上段和外部连接端子的侧壁分开间隙距离，所述间隙距离向第一包封剂图案的上表面增加。

2.如权利要求1所述的晶片级封装，其中，通孔的侧壁具有阶梯状的横截面，使得通孔的侧壁的上段的直径大于下段的直径。

3.如权利要求1所述的晶片级封装，其中，外部连接端子的横截面是直径邻近通孔的侧壁的上段而减小的基本上圆形。

4.一种晶片级封装，所述晶片级封装包括：

重布图案，形成在半导体基底上；

第一包封剂图案，直接接触重布图案，第一包封剂图案具有暴露重布图案的一部分的通孔；

外部连接端子，形成在重布图案的暴露部分上，

其中，第一包封剂图案的顶部边缘部分与外部连接端子分开以限定第一包封剂图案的顶部边缘部分和外部连接端子之间的间隙。

5.如权利要求4所述的晶片级封装，其中，在平面视图中所述间隙围绕外部连接端子的边界。

6.如权利要求4所述的晶片级封装，其中，在平面视图中所述间隙的宽度基本上一致。

7.如权利要求4所述的晶片级封装，其中，所述晶片级封装还包括设置在半导体基底上并暴露芯片焊盘的一部分的钝化层，重布图案直接形成在钝化层上。

8.如权利要求4所述的晶片级封装，其中，所述晶片级封装还包括填充所述间隙的第二包封剂图案。

9.如权利要求8所述的晶片级封装，其中，第二包封剂图案布置在外部连接端子的边界的相对部分处。

10.如权利要求8所述的晶片级封装，其中，第二包封剂图案具有围绕外部连接端子的边界设置在不同位置的三个或多于三个的部分。

11.如权利要求8所述的晶片级封装，其中，填充所述间隙的第二包封剂图案具有与第一包封剂图案的上表面基本上相平的上表面。

12.如权利要求8所述的晶片级封装，其中，填充所述间隙的第二包封剂图案从第一包封剂图案的上表面凸出。

13.一种晶片级封装，所述晶片级封装包括：

重布图案，形成在半导体基底上；

第一包封剂图案，接触重布图案，第一包封剂图案具有暴露重布图案的一部分的通孔；

外部连接端子，形成在重布图案的暴露部分上，

其中，第一包封剂图案包括包含至少一种填料的材料，第一包封剂图案的顶部边缘部分与外部连接端子分开以限定第一包封剂图案的顶部边缘部分和外部连接端子之间的间隙。

14.如权利要求13所述的晶片级封装，其中，所述至少一种填料具有大体上球形的形状。

15.如权利要求13所述的晶片级封装，其中，填料的尺寸是30μm或小于30μm。

16.如权利要求13所述的晶片级封装，其中，第一包封剂图案包括含填料的环氧模塑料。

17.如权利要求13所述的晶片级封装，其中，第一包封剂图案包括含填料的硅树脂。

18.如权利要求17所述的晶片级封装，其中，含填料的硅树脂是聚二甲基硅氧烷。

19.如权利要求13所述的晶片级封装，其中，通孔具有上部宽下部窄的锥形形状。

20.如权利要求13所述的晶片级封装，其中，通孔具有向下变窄的锥形形状并且在平面视图中具有圆形的横截面。

21.如权利要求13所述的晶片级封装，所述晶片级封装还包括：

芯片焊盘和熔断器，形成在半导体基底上；

钝化层图案、第一聚合物层图案和第二聚合物层图案，顺序地形成在半导体基底和重布图案之间，

其中，芯片焊盘通过钝化层图案、第一聚合物层图案和第二聚合物层图案而暴露并且接触重布图案，

熔断器通过钝化层图案和第一聚合物层图案而暴露并且直接接触第二聚合物层图案。