[发明专利]蓝宝石晶片的分割方法

说明书

技术领域

本发明涉及沿着分割预定线对在多个元件形成区域内分别形成有具有反射膜的发光器件的蓝宝石晶片进行分割的蓝宝石晶片的分割方法。

背景技术

作为使用蓝宝石晶片制造的发光器件，有在蓝宝石基板上层叠氮化镓(GaN)类等氮化物半导体而成的发光二极管(LED)等。这种发光器件分别形成在蓝宝石晶片的由分割预定线包围的元件形成区域内。沿着分割预定线对在元件形成区域内分别形成有发光器件的蓝宝石晶片进行分割，由此得到一个个发光器件。

然而，对于蓝宝石晶片而言，由于莫氏硬度高，所以，很难利用由切削刀具构成分割单元的切割装置进行分割。因此，尝试了使用脉冲激光线的分割方法。即，在该分割方法中，从蓝宝石晶片的一方的表面侧使聚光点对准于沿着分割预定线的内部，照射对于蓝宝石具有透射性的波长的脉冲激光线，在晶片内部沿着分割预定线连续形成改质层。然后，沿着因形成了改质层而强度下降的分割预定线，对蓝宝石晶片施加外力，由此将作为被加工物的蓝宝石晶片分割开(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特许第3408805号公报

作为使用蓝宝石晶片制造的发光器件，存在以下这样的发光器件：该发光器件为了反射从由半导体层形成的活性层发出的光而提高光的取出效率，在蓝宝石基板(蓝宝石晶片)的另一方的表面(与形成有半导体层的表面相反侧的表面)上层叠有反射膜。在将这种发光器件分割为一个个器件时，为了不损伤发光器件，需要从没有形成活性层的表面侧照射激光线，在蓝宝石晶片的内部形成改质层。但是，由于在与形成有活性层的表面相反的表面上形成了反射膜，因此存在如下问题：该反射膜妨碍激光线的照射，无法在蓝宝石晶片的内部确切地形成改质层。

发明内容

本发明正是鉴于上述问题而完成的，其主要目的在于提供一种能够确切地对形成有反射膜的蓝宝石晶片进行分割加工的分割方法。

为了解决上述课题而达到目的，本发明提供一种蓝宝石晶片的分割方法，该分割方法沿着分割预定线对蓝宝石晶片进行分割，该蓝宝石晶片在表面的由该分割预定线划分出的区域中形成有多个光器件，且在背面层叠有对该发光器件发出的光进行反射的反射膜，该分割方法的特征在于，包括以下工序：烧蚀加工工序，从该蓝宝石晶片的背面侧沿着该分割预定线，会聚地照射该反射膜所吸收的波长的脉冲激光，在该分割预定线上形成比该反射膜的厚度深的槽；改质层形成工序，在该烧蚀加工工序后，沿着通过该槽而露出蓝宝石表面的该分割预定线，使透射过蓝宝石的波长的脉冲激光会聚地照射到该蓝宝石晶片的内部，在该蓝宝石晶片的内部沿着该分割预定线形成改质层；以及分割工序，在该改质层形成工序后，对该改质层施加外力，由此沿着该分割预定线对该蓝宝石晶片进行分割。

根据本发明，能够对形成有反射膜的蓝宝石晶片进行确切的分割加工。因此，能够提高发光器件的制造成品率。

附图说明

图1是示出应用本发明实施方式的分割方法的蓝宝石晶片的结构例的立体图。

图2是示出本发明实施方式的蓝宝石晶片分割方法中的形成槽的烧蚀(ablation)加工工序的工序截面图。

图3是示出本发明实施方式的蓝宝石晶片分割方法中的改质层形成工序的工序截面图。

图4是示出本发明实施方式的蓝宝石晶片分割方法中的分割工序的工序截面图。

图5是示出安装了利用本发明实施方式的分割方法分割的发光器件的状态的截面图。

标号说明

1：蓝宝石晶片；100：发光元件；100A：发光元件部；11：分割预定线；1A：蓝宝石基板；1a：表面；24：InGaN类活性层；27：p侧透明电极；29：n侧电极；30：反射膜；31：电介质多层膜；32：金属膜；33：槽；34：改质层；40：扩展带。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明实施方式的蓝宝石晶片的分割方法进行详细说明。需要说明的是，附图只是示意性的说明，各层的厚度和厚度比率与实际不同。此外，在本实施方式的蓝宝石晶片的分割方法中，将在蓝宝石晶片上形成半导体层、反射膜等而制成了作为发光器件的发光元件的状态的晶片作为分割对象。