[发明专利]发光二极管阵列及其制造方法无效
申请号: | 201110128988.6 | 申请日: | 2011-05-18 |
公开(公告)号: | CN102790045A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 洪梓健;沈佳辉 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/42;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管阵列,其包括基板及形成于基板一侧的多个发光二极管,所述多个发光二极管之间电连接,所述每个发光二极管包括依次形成于所述基板上的连接层、n型氮化镓层、发光层及p型氮化镓层,其特征在于,所述连接层能够被减性溶液蚀刻,所述n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓,且该底面有裸露的粗化表面。
2.如权利要求1所述的发光二极管阵列,其特征在于:所述连接层和基板之间形成有另一n型氮化镓层,该n型氮化镓层远离基板的表面为正常极化氮化镓。
3.如权利要求1所述的发光二极管阵列,其特征在于:所述连接层的材质选自氮化铝、二氧化硅或氮化硅。
4.如权利要求1所述的发光二极管阵列,其特征在于:所述连接层的厚度范围为5纳米-1000纳米。
5.如权利要求1所述的发光二极管阵列,其特征在于:所述多个发光二极管之间形成有沟槽,以将多个发光二极管相互隔开,所述发光二极管阵列进一步包括一形成于所述沟槽中的电绝缘层以及形成于该电绝缘层上的电连接线,所述电连接线用于电连接所述多个发光二极管。
6.一种发光二极管阵列的制造方法,包括以下步骤:
提供一基板;
在所述基板上依次成长形成连接层、n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层,所述连接层、n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层构成一半导体层,所述n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓;
在所述半导体层上形成多个沟槽,该多个沟槽将半导体层分割成多个发光二极管,所述沟槽依次贯穿p型氮化镓层、发光层及n型氮化镓层以裸露出连接层;
采用碱性溶液蚀刻掉所述每个发光二极管的部分连接层,裸露出n型氮化镓层的部分底面,并采用所述碱性溶液对裸露出的n型氮化镓层的底面进行蚀刻以形成粗化表面;及
电连接所述多个发光二极管。
7.如权利要求6所述的发光二极管阵列的制造方法,其特征在于:所述沟槽贯穿所述连接层。
8.如权利要求6所述的发光二极管阵列的制造方法,其特征在于:所述碱性溶液为强碱性溶液,所述对连接层和n型氮化镓层的蚀刻时间为30-60分钟。
9.如权利要求6所述的发光二极管阵列的制造方法,其特征在于:在电连接所述多个发光二极管之前,先在所述多个发光二极管之间的沟槽中形成电绝缘层。
10.如权利要求6所述的发光二极管阵列的制造方法,其特征在于:所述连接层的材质选自氮化铝、二氧化硅或氮化硅。
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