[发明专利]T型分支波导

权利要求书

1.一种T型分支波导，其特征在于：所述T型分支波导包括SOI衬底、在SOI衬底的顶层硅(103)上刻蚀形成的呈长方晶格排列的硅柱区域(210)以及将硅柱区域与外部器件连接的SOI条形波导(202)；所述硅柱区域内的硅柱深度h等于SOI顶层硅(103)的厚度，所述SOI条形波导位于呈长方晶格排列的硅柱区域的长边或短边；所述SOI衬底(100)包括衬底硅层(101)、位于衬底硅层(101)上的二氧化硅埋层(102)以及位于该二氧化硅埋层(102)上的顶层硅(103)。

2.根据权利要求1所述的T型分支波导，其特征在于，所述SOI条形波导沿长方晶格短边方向的任意角度输入。

3.根据权利要求1所述的T型分支波导，其特征在于，所述SOI条形波导沿长方晶格的长边方向的任意角度输入。

4.根据权利要求1所述的T型分支波导，其特征在于，所述SOI条形波导的高度与硅柱的深度相等。

5.根据权利要求1所述的T型分支波导，其特征在于，所述长方晶格排列的长边长度b与短边长度a的比值β范围为：2≤β≤2.5。

6.根据权利要求1所述的T型分支波导，其特征在于，所述硅柱的半径r的范围为：0.3a≤r≤0.5a，其中，a为长方晶格排列的短边长度a。

7.根据权利要求1所述的T型分支波导，其特征在于，所述硅柱的深度h的范围为：1.5a≤h≤3a，其中，a为长方晶格排列的短边长度a。

8.根据权利要求5或6或7所述的T型分支波导，其特征在于，所述硅柱长方晶格排列的短边长度a为400nm，所述硅柱的深度h为800nm，半径r为0.39a，所述长方晶格排列的长边长度b与短边长度a的比值β为2.4。

9.根据权利要求8所述的T型分支波导，其特征在于，所述SOI条形波导的宽度至少为a，其中，a为长方晶格排列的短边长度a。

10.根据权利要求1所述的T型分支波导，其特征在于，所述硅柱通过电子束曝光、电感耦合等离子体工艺刻蚀或FIB刻蚀形成。

11.根据权利要求1所述的T型分支波导，其特征在于，所述T型分支波导还包括两输出波导，分别位于硅柱区域的两侧，并沿长方晶格排列的短边方向输出。

12.根据权利要求11所述的T型分支波导，其特征在于，所述输出波导的宽度至少为b，其中，，b为长方晶格排列的长边长度。