[发明专利]一种柔性有机发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110129375.4 申请日: 2011-05-18
公开(公告)号: CN102790183A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 周明杰;王平;冯小明;陈吉星 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 何平
地址: 518100 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 柔性 有机 发光二极管 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及光电子器件领域,尤其涉及一种柔性有机发光二极管。本发明还涉及该柔性有机发光二极管的制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emission Diode),以下简称OLED,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性,同时拥有高清晰、广视角,以及响应速度快等优势,符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势,以及绿色照明技术的要求,是目前国内外众多研究者的关注重点。

在现有技术的OLED器件中,使用玻璃衬底制作的OLED器件不具备弯曲的特点,而且玻璃易碎,对发光器件的应用造成了影响。采用柔性材料作为衬底的OLED器件,比玻璃衬底的OLED具有更轻薄、更耐冲击的优点。并且柔性OLED的制备可以采用卷对卷方式生产,从而大幅地降低制造成本。目前柔性显示衬底主要有超薄玻璃,聚合物薄膜、金属薄片等。

通常采用聚合物薄膜作为衬底制作的阳极,是在其表面通过溅射工艺覆盖一层透明导电薄膜如ITO,IZO等材料,然而这些导电薄膜在柔性OLED的应用上也存在诸多难以克服的问题。例如在制备ITO薄膜的过程中,各种元素如铟(In),(Sn)的掺杂比例组成不易控制,导致ITO薄膜的形貌,载流子和传输性能难以控制,从而导致发光器件的性能不稳定。其次,在柔性衬底上制备ITO等导电薄膜时,由于聚合物薄膜的耐热性能不佳,制备导电薄膜通常采用低温溅射技术,所制备的导电薄膜表面电阻高,薄膜与衬底的结合力不强,使得柔性OLED在反复弯曲的过程中容易发生导电薄膜从衬底脱落的情况,影响OLED发光装置的发光稳定性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种挠曲性能好、发光性能稳定,且发光效率高的柔性有机发光二极管。

本发明的技术方案:

一种柔性有机发光二极管,该柔性有机发光二极管为层状结构,该层状结构依次为:衬底/阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层;其中,在所述衬底与阳极层之间,还制备有一层缓冲层;所述阳极为多层复合结构,该多层复合结构为:A/Sm/B的多层复合结构,其中,A为ZnS或ZnSe,B为WO3或V2O5

本发明提供的柔性有机发光二极管,其采用的衬底材料为聚合物薄膜,如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),聚醚砜(PES),聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN),透明聚酰亚胺(PI)环烯烃共聚物(COC),聚碳酸酯(PC),聚乙烯(PE)等材料,所选材料在可见光的透过率>80%,厚度可选自0.1-0.5mm之间。

位于衬底上的缓冲层是采用UV胶制作而成,缓冲层的厚度可以为0.5-10μm。

本发明提供的柔性有机发光二极管,阳极的多层复合结构全部采用蒸镀工艺制备。具体地,A层,即ZnS或ZnSe层的厚度选自40-80nm,Sm层的厚度选择18-25nm,B层,即WO3或V2O5层的厚度选自3-10nm。该多层复合结构,利用了热镜中的增透原理,因此制备的阳极层在可见光透过率高,同时表面电阻较低。

本发明提供的柔性有机发光二极管,空穴注入层的材料为酞菁铜(CuPc)或4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺(m-MTDATA),该空穴注入层的厚度为30-40nm;

所述空穴传输层的材料为N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(TPD)、1,3,5-三苯基苯(TDAPB)或N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)中的任一种;该空穴传输层的厚度为30-80nm;

所述发光层的材料为4,4′-二(9-咔唑)联苯(CBP)掺杂三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3),即Ir(ppy)3:CBP;该发光层的厚度为15-40nm;

所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ等)或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi);该电子传输层的厚度为20-60nm;

所述电子注入层的材料优选为氟化锂(LiF)或氟化铯(CsF);该电子注入层的厚度为0.5-2nm;

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