[发明专利]一种柔性有机发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 201110129375.4 | 申请日: | 2011-05-18 |
公开(公告)号: | CN102790183A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;冯小明;陈吉星 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 有机 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光电子器件领域,尤其涉及一种柔性有机发光二极管。本发明还涉及该柔性有机发光二极管的制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emission Diode),以下简称OLED,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性,同时拥有高清晰、广视角,以及响应速度快等优势,符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势,以及绿色照明技术的要求,是目前国内外众多研究者的关注重点。
在现有技术的OLED器件中,使用玻璃衬底制作的OLED器件不具备弯曲的特点,而且玻璃易碎,对发光器件的应用造成了影响。采用柔性材料作为衬底的OLED器件,比玻璃衬底的OLED具有更轻薄、更耐冲击的优点。并且柔性OLED的制备可以采用卷对卷方式生产,从而大幅地降低制造成本。目前柔性显示衬底主要有超薄玻璃,聚合物薄膜、金属薄片等。
通常采用聚合物薄膜作为衬底制作的阳极,是在其表面通过溅射工艺覆盖一层透明导电薄膜如ITO,IZO等材料,然而这些导电薄膜在柔性OLED的应用上也存在诸多难以克服的问题。例如在制备ITO薄膜的过程中,各种元素如铟(In),(Sn)的掺杂比例组成不易控制,导致ITO薄膜的形貌,载流子和传输性能难以控制,从而导致发光器件的性能不稳定。其次,在柔性衬底上制备ITO等导电薄膜时,由于聚合物薄膜的耐热性能不佳,制备导电薄膜通常采用低温溅射技术,所制备的导电薄膜表面电阻高,薄膜与衬底的结合力不强,使得柔性OLED在反复弯曲的过程中容易发生导电薄膜从衬底脱落的情况,影响OLED发光装置的发光稳定性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种挠曲性能好、发光性能稳定,且发光效率高的柔性有机发光二极管。
本发明的技术方案:
一种柔性有机发光二极管,该柔性有机发光二极管为层状结构,该层状结构依次为:衬底/阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层;其中,在所述衬底与阳极层之间,还制备有一层缓冲层;所述阳极为多层复合结构,该多层复合结构为:A/Sm/B的多层复合结构,其中,A为ZnS或ZnSe,B为WO3或V2O5。
本发明提供的柔性有机发光二极管,其采用的衬底材料为聚合物薄膜,如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),聚醚砜(PES),聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN),透明聚酰亚胺(PI)环烯烃共聚物(COC),聚碳酸酯(PC),聚乙烯(PE)等材料,所选材料在可见光的透过率>80%,厚度可选自0.1-0.5mm之间。
位于衬底上的缓冲层是采用UV胶制作而成,缓冲层的厚度可以为0.5-10μm。
本发明提供的柔性有机发光二极管,阳极的多层复合结构全部采用蒸镀工艺制备。具体地,A层,即ZnS或ZnSe层的厚度选自40-80nm,Sm层的厚度选择18-25nm,B层,即WO3或V2O5层的厚度选自3-10nm。该多层复合结构,利用了热镜中的增透原理,因此制备的阳极层在可见光透过率高,同时表面电阻较低。
本发明提供的柔性有机发光二极管,空穴注入层的材料为酞菁铜(CuPc)或4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺(m-MTDATA),该空穴注入层的厚度为30-40nm;
所述空穴传输层的材料为N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(TPD)、1,3,5-三苯基苯(TDAPB)或N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)中的任一种;该空穴传输层的厚度为30-80nm;
所述发光层的材料为4,4′-二(9-咔唑)联苯(CBP)掺杂三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3),即Ir(ppy)3:CBP;该发光层的厚度为15-40nm;
所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ等)或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi);该电子传输层的厚度为20-60nm;
所述电子注入层的材料优选为氟化锂(LiF)或氟化铯(CsF);该电子注入层的厚度为0.5-2nm;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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