[发明专利]一种贵金属亚微米球壳阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201110130059.9 | 申请日： | 2011-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102212790A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李东升;程培红;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/20 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 贵金属 微米 阵列 制备 方法 | ||
1.一种贵金属亚微米球壳阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将直径为100-1000nm的聚苯乙烯微球分散于水和酒精的混合液中，配制成聚苯乙烯微球的浓度为0.54-1.89mg/ml的混合溶液；将所述的混合溶液滴于石英、石墨或硅片基底上并晾干，得到有聚苯乙烯微球阵列的基底；
(2)将步骤(1)得到的有聚苯乙烯微球阵列的基底放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，以贵金属为靶材，在真空中通过磁控溅射沉积贵金属层；
(3)将步骤(2)得到的沉积贵金属层后的基板加热到200-300℃，保温10-60分钟，以去除聚苯乙烯微球模板，在基板上得到贵金属亚微米球壳阵列。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中水和酒精的体积比为1∶5-1∶1。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中所述的直流反应磁控溅射装置的反应室的真空度在5×10-3Pa及以下，以氩气为溅射气氛通入反应室，控制流量为20-30sccm，反应室内气压保持在10～20Pa，溅射功率在40-70W，溅射时间控制在20s-120s，生长温度为室温。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中氩气的流量为30sccm，沉积气压为10Pa，溅射功率为58-62W。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的贵金属为金、银、铂或钯。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的贵金属的纯度为99％及以上。
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