[发明专利]半导体装置及其驱动方法有效
| 申请号： | 201110130122.9 | 申请日： | 2004-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102360538A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 俞华梁;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 驱动 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
负载；
第一电流源；
第二电流源；
晶体管；
电容器；
电连接在所述负载与所述晶体管的源极和漏极中的一个之间的第一开关；
电连接在所述第一电流源与所述晶体管的源极和漏极中的所述一个之间的第二开关；以及
电连接在所述第二电流源与所述晶体管的源极和漏极中的所述一个之间的第三开关，
其中所述电容器电连接在所述晶体管的栅极与所述晶体管的源极和漏极中的所述一个之间。
2.一种半导体装置，包括：
负载；
第一电流源；
第二电流源；
电容器；
第一晶体管；
第二晶体管；
第三晶体管；以及
第四晶体管，
其中所述电容器电连接在所述第一晶体管的栅极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个之间，
其中所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一个，并且所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述负载，
其中所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一个，并且所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第一电流源，以及
其中所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一个，并且所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述负载。
3.一种半导体装置，包括：
负载；
第一电流源；
第二电流源；
第一晶体管；
第二晶体管；
电容器；
电连接在所述负载与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个之间的第一开关；
电连接在所述第一电流源与所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一个之间的第二开关；以及
电连接在所述第二电流源与所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一个之间的第三开关，
其中所述电容器电连接到所述第一晶体管的栅极以及所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一个。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道区的宽度彼此相等。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的沟道区的长度比所述第二晶体管的沟道区的长度长。
6.一种半导体装置，包括：
负载；
第一电流源；
第二电流源；
电容器；
第一晶体管；
第二晶体管；
第三晶体管；
第四晶体管；以及
第五晶体管，
其中所述电容器电连接在所述第一晶体管的栅极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个之间，
其中所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一个，并且所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述负载，
其中所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一个，并且所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第一电流源，以及
其中所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的源极和漏极中的所述一个，并且所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述负载。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第一晶体管和所述第五晶体管的沟道区的宽度彼此相等。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第一晶体管的沟道区的长度比所述第五晶体管的沟道区的长度长。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体装置，其中所述负载是显示元件。
10.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体装置，其中所述负载是信号线。
11.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体装置，其中所述第一电流源和所述第二电流源中的至少一个是恒流源。
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