[发明专利]圆形光子晶体结构、发光二极管元件以及光电转换元件有效
申请号: | 201110130981.8 | 申请日: | 2011-05-16 |
公开(公告)号: | CN102709416A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 许佳振;林建宏;张天立;林宏彞;周大鑫;蔡祯辉 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/20;H01L31/04;H01L31/0352;H01L51/50;G02B6/122 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 祁建国;梁挥 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 圆形 光子 晶体结构 发光二极管 元件 以及 光电 转换 | ||
1.一种光电转换元件,其特征在于,包括:
一光电转换体,适于发出或接收一光线;
一第一介质,位于该光电转换体外围,该光线通过该第一介质以及该第一介质之外的一第二介质,其中该第一介质与该第二介质具有不同的光折射率;以及
一圆形光子晶体结构,设置于该光线所通过的该第一介质与该第二介质之间的一接面上,该圆形光子晶体结构包括多个孔洞,其中一个孔洞位于该圆形光子晶体结构中央,而其余孔洞以该孔洞为中心点排列成多个同心圆。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,该孔洞的中心位置的直角坐标由下列方程式所决定:
其中,N为该同心圆的圈数,d为相邻两同心圆之间的距离,a为各该同心圆上的该孔洞数量的基数,m为1至a·N之间的整数数列,b为起始相位。
3.根据权利要求2所述的光电转换元件,其特征在于,b=N·ΔθN。
4.根据权利要求2所述的光电转换元件,其特征在于,b为随机数。
5.根据权利要求2所述的光电转换元件,其特征在于,b为常数。
6.根据权利要求2所述的光电转换元件,其特征在于,a为整数,且5≤a≤8。
7.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,相邻两同心圆之间的距离介于300纳米至2000纳米之间。
8.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,该孔洞的深度介于50纳米至300纳米)之间。
9.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,该孔洞的填充率介于0.2至0.5之间。
10.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,该孔洞的形状包括圆形、椭圆形、矩形。
11.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,该光电转换体包括发光二极管、有机电激发光体或光致发电体。
12.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,该第一介质包括半导体材料或有机材料。
13.一种发光二极管元件,其特征在于,包括:
一基板;
一第一型半导体层,配置于该基板上;
一第二型半导体层,配置于该第一型半导体层上;
一主动区,位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间;
一第一电极,配置于该第一型半导体层上;
一第二电极,配置于该第二型半导体层上;以及
一圆形光子晶体结构,设置于该第二型半导体层的一顶面上或是设置于该第一型半导体层与该基板之间,该圆形光子晶体结构包括多个孔洞,其中一个孔洞位于该圆形光子晶体结构中央,而其余孔洞以该孔洞为中心点排列成多个同心圆。
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