[发明专利]制作金属凸块与熔接金属的制程方法有效
| 申请号： | 201110131307.1 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102789995A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 萧献赋 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 金属 熔接 方法 | ||
1.一种制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，其步骤包括：
一第一道制程，用以制作金属凸块结构于一半导体元件表面；以及
一第二道制程，用以制作该金属凸块表面不同面积的熔接金属结构；其中，
所述第一道制程包含下列步骤：
涂布或压合一第一光阻层于该半导体元件表面；
以曝光显影方法定义金属凸块结构的位置及几何形状；
以金属镀膜方法镀上金属凸块结构的金属材料；
以及
去除第一光阻层，以形成金属凸块结构；
所述第二道制程包含下列步骤：
涂布或压合一第二光阻层于半导体元件及金属凸块结构表面；
以曝光显影方法定义熔接金属的位置及几何形状；
以金属镀膜方法镀上一熔接金属层的金属材料；以及
去除第二光阻层，形成熔接金属于金属凸块结构之上。
2.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，所述第一道制程包含的步骤中，在去除第一光阻层之前，进一步包含以金属镀膜方法镀上一熔接金属的浸润层。
3.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，所述第一道制程及所述第二道制程中的金属镀膜方法是溅镀、蒸镀或电镀。
4.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，熔接金属层的位置及几何形状是依金属凸块结构的位置与几何形状。
5.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，金属凸块结构的金属材料是铜。
6.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，金属凸块结构的金属材料是金。
7.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，熔接金属层的金属材料是铟。
8.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，熔接金属层的金属材料是锡。
9.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，熔接金属层的金属材料是以锡为主要成份的合金或是以铟为主要成份的合金。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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