[发明专利]一种3D微混合微流控芯片的制作方法

权利要求书

1.一种3D微混合微流控芯片的制作方法，包括如下步骤：

(1)将所述3D微混合微流控芯片的微通道图形通过激光照排制成掩膜；

(2)将负性光刻胶涂覆在载玻片上，将所述掩膜覆盖在所述负性光刻胶上；将覆盖有所述负性光刻胶和掩膜的载玻片在紫外光源下进行曝光并经显影后得到负性光刻胶阳膜；

(3)向所述负性光刻胶阳膜上浇铸聚二甲基硅氧烷主剂和固化剂的混合浆体，固化后揭去所述负性光刻胶阳膜得到聚二甲基硅氧烷芯片A；

(4)按照上述步骤(1)至步骤(3)制作聚二甲基硅氧烷芯片B；

(5)将所述聚二甲基硅氧烷芯片A与聚二甲基硅氧烷芯片B贴合后进行键合即得所述3D微混合微流控芯片，所述聚二甲基硅氧烷芯片A中的微通道与所述聚二甲基硅氧烷芯片B中的微通道为错列对称。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述负性光刻胶为SU8光刻胶。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于：所述曝光的时间20s-120s。

4.根据权利要求1-3中任一所述的制作方法，其特征在于：步骤(2)中还包括将涂覆所述光刻胶的载玻片进行前烘和后烘的步骤；所述前烘的温度为65℃-70℃，所述前烘的时间为20分钟-30分钟；所述后烘的温度为95℃-100℃，所述后烘的时间为10分钟-30分钟。

5.根据权利要求1-4中任一所述的制作方法，其特征在于：步骤(2)中所述曝光后还包括前烘和后烘的步骤；所述前烘的温度为65℃-70℃，所述前烘的时间为20分钟-30分钟；所述后烘的温度为95℃-100℃，所述后烘的时间为10分钟-30分钟。

6.根据权利要求1-5中任一所述的制作方法，其特征在于：步骤(2)中所述显影后还包括烘干的步骤；所述烘干的温度为150℃-160℃；所述烘干的时间为30分钟-50分钟。

7.根据权利要求1-6中任一所述的制作方法，其特征在于：所述聚二甲基硅氧烷主剂与所述固化剂的质量份数比为(5-10)∶1。

8.根据权利要求1-7中任一所述的制作方法，其特征在于：步骤(3)中所述固化的温度为60℃-100℃；所述固化的时间为0.5小时-4小时。

9.根据权利要求1-8中任一所述的制作方法，其特征在于：步骤(5)中所述键合的温度为60℃-100℃；所述键合的时间为0.5小时-4小时。