[发明专利]一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法

权利要求书

1.一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；

2)将步骤1)得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行磷扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；

3)将步骤2)得到的硅片浸泡在HF溶液中；

4)将步骤3)得到的硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，并用去离子水清洗多次，用氮气吹干硅表面水分，然后放入烘箱内(100～130℃)烘烤0.5h，得磷吸杂后的多晶硅片。

2.如权利要求1所述的一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，其特征在于在步骤1)中，所述多晶硅片为冶金法多晶硅片，所述冶金法多晶硅片的电阻率为0.1～5Ω·cm，冶金法多晶硅片的厚度为190μm，导电类型为N型。

3.如权利要求1所述的一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，其特征在于在步骤1)中，所述清洗，采用RCA液清洗，所述RCA液由III号液、I号液和II号液组成，所述III号液的体积比为H₂SO₄∶H₂O₂＝4∶1，所述I号液的体积比为NH₄OH∶H₂O₂∶H₂O₂＝1∶2∶5，所述II号液的体积比为HCl∶H₂O₂∶H₂O＝1∶2∶8；所述H₂SO₄的质量分数为95％～98％，所述H₂O₂的质量分数为30％，所述NH₄OH的质量分数为25％～28％，所述HCl的质量分数为36～38％。

4.如权利要求1所述的一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，其特征在于在步骤2)中，所述磷扩散的磷源为三氯氧磷。

5.如权利要求1所述的一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，其特征在于在步骤2)中，所述气体为氮气、氩气、氧气中的一种。

6.如权利要求1所述的一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，其特征在于在步骤2)中，所述热处理硅片冷却方式为随炉冷却或在空气中冷却；所述热处理的温度为700～1200℃，所述热处理的时间为0.2～8h。

7.如权利要求1所述的一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，其特征在于在步骤2)中，所述磷源的温度为0～25℃；所述磷扩散层表面浓度为1×10¹⁷～1×10²²atom/cm³，深度为0.1～10μm。

8.如权利要求1所述的一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，其特征在于在步骤3)中，所述HF的浓度为HF∶H₂O＝1∶(1～10)，所述浸泡在HF溶液中的时间为1～10min。

9.如权利要求1所述的一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，其特征在于在步骤4)中，所述酸腐蚀液的体积比为HF∶HNO₃＝1∶1～5，硝酸的质量分数为65％～68％，氢氟酸的质量分数为≥40％。

10.如权利要求1所述的一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，其特征在于在步骤4)中，所述清洗是用去离子水清洗至少1次，所述吹干采用氮气吹干，所述烘烤的温度为100～130℃，烘烤的时间为0.5h。