[发明专利]一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法

权利要求书

1.一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

步骤一、采用FIB刻蚀工艺，将金属探针的顶端针尖削平形成表面平整的平台，作为两端半导体器件的制备衬底；

步骤二、采用半导体薄膜制备工艺，在所述金属探针的顶端平台上制备两端半导体器件；

步骤三、采用FIB电子束沉积工艺，在所述形成两端半导体器件的顶端淀积一层保护层；

步骤四、采用FIB离子束刻蚀工艺，以所述保护层为掩膜，对所述两端半导体器件进行减薄，形成薄片；

步骤五、采用FIB离子束刻蚀工艺，对所述两端半导体器件的薄片进行分割，形成多个独立的TEM测试样品。

2.根据权利要求1所述的用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，所述步骤一中形成的平台的直径为0.1μm～500μm。

3.根据权利要求1所述的用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，所述步骤一中金属探针由以下材料中的一种或多种构成：Au、Pt、Cu、W、Ti、Al、Fe，所述金属探针的长度为1cm～10cm，底端直径为1mm～10mm。

4.根据权利要求1所述的用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，所述步骤二中两端半导体器件由单层薄膜材料或多层复合薄膜材料构成，所述薄膜材料为有机材料或者无机材料。

5.根据权利要求4所述的用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，所述单层薄膜材料或多层复合薄膜材料通过电子束蒸发、化学气相沉积、磁控溅射、原子层沉积或者激光消融顺序沉积在金属探针的顶端平台上。

6.根据权利要求4所述的用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，所述两端半导体器件的厚度为1nm～1000nm。

7.根据权利要求1所述的用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，所述步骤三中保护层为Pt或SiO₂保护层。

8.根据权利要求7所述的用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，所述保护层为长方体，其宽度为0.1μm～2μm，长度为0.1μm～500μm，厚度为0.1μm～2μm。

9.根据权利要求1所述的用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，所述步骤四中薄片的厚度为10nm～200nm。

10.根据权利要求1所述的用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，所述步骤五中独立的TEM测试样品的宽度为10nm～1000nm。