[发明专利]硅膜的形成方法及其形成装置

权利要求书

1.一种硅膜的形成方法，其用于在表面形成有槽的被处理体的槽内形成硅膜，其特征在于，该硅膜的形成方法具有：

第1成膜工序，其以填埋上述被处理体的槽的方式形成硅膜；

蚀刻工序，其对在上述第1成膜工序中形成的硅膜进行蚀刻而扩大上述槽的开口部；

第2成膜工序，其以向在上述蚀刻工序中扩大了开口部的槽内填埋硅膜的方式进行成膜。

2.根据权利要求1所述的硅膜的形成方法，其特征在于，

该硅膜的形成方法还具有将多个被处理体收容在用于收容上述被处理体的反应室内的收容工序，

在上述第1成膜工序及上述第2成膜工序中，向上述反应室内供给硅成膜用气体而形成硅膜，

在上述蚀刻工序中，向上述反应室内供给蚀刻用气体而对在上述第1成膜工序中形成的硅膜进行蚀刻。

3.根据权利要求1所述的硅膜的形成方法，其特征在于，

该硅膜的形成方法还具有在上述被处理体的表面形成晶种层的晶种层形成工序，

在上述第1成膜工序中，在上述晶种层上形成硅膜。

4.根据权利要求1所述的硅膜的形成方法，其特征在于，

该硅膜的形成方法还具有用于对形成在上述被处理体的槽的底部的自然氧化膜进行去除的自然氧化膜去除工序。

5.根据权利要求1所述的硅膜的形成方法，其特征在于，

在上述第1成膜工序之后，多次重复实施上述蚀刻工序及上述第2成膜工序。

6.根据权利要求2所述的硅膜的形成方法，其特征在于，

在上述反应室内收容有上述被处理体的状态下，连续进行上述第1成膜工序、上述蚀刻工序及上述第2成膜工序。

7.一种硅膜的形成装置，其用于在表面形成有槽的被处理体的槽内形成硅膜，其特征在于，该硅膜的形成装置具有：

第1成膜部件，其以填埋上述被处理体的槽的方式形成硅膜；

蚀刻部件，其对用上述第1成膜部件形成的硅膜进行蚀刻而扩大上述槽的开口部；

第2成膜部件，其以向用上述蚀刻部件扩大了开口部的槽内填埋硅膜的方式进行成膜。

8.根据权利要求7所述的硅膜的形成装置，其特征在于，

该硅膜的形成装置还具有将多个被处理体收容在用于收容上述被处理体的反应室内的收容部件，

上述第1成膜部件及第2成膜部件向上述反应室内供给硅成膜用气体而形成硅膜，

上述蚀刻部件用于向上述反应室内供给蚀刻用气体而对用上述第1成膜部件形成的硅膜进行蚀刻。

9.根据权利要求7所述的硅膜的形成装置，其特征在于，

该硅膜的形成装置还具有在上述被处理体的表面形成晶种层的晶种层形成部件，

上述第1成膜部件用于在上述晶种层上形成硅膜。

10.根据权利要求7所述的硅膜的形成装置，其特征在于，

该硅膜的形成装置还具有用于对形成在上述被处理体的槽的底部的自然氧化膜进行去除的自然氧化膜去除部件。

11.根据权利要求8所述的硅膜的形成装置，其特征在于，

该硅膜的形成装置还具有控制装置的各个部分的控制部件，

上述控制部件控制上述第1成膜部件、上述蚀刻部件及上述第2成膜部件，在上述反应室内收容有上述被处理体的状态下，以填埋上述被处理体的槽的方式形成硅膜，对所形成的硅膜进行蚀刻而扩大上述槽的开口部，以向扩大了开口部的槽内填埋硅膜的方式进行成膜。