[发明专利]阵列基板及其制造方法、液晶面板

权利要求书

1.一种阵列基板，包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有显示薄膜晶体管和像素电极，所述显示薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，其特征在于，所述基板上还设有发射信号线和接收信号线，所述发射信号线和接收信号线之间设有触控薄膜晶体管，所述触控薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述发射信号线连接、漏极与所述接收信号线连接，且所述触控薄膜晶体管的栅极、源极和漏极的一极中设有间隔，所述间隔在触控操作发生时连通。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔一侧的上方设有第一连接电极、另一侧的上方设有与所述第一连接电极分离的第二连接电极，在触控操作发生时所述第一连接电极和第二连接电极连通且所述间隔连通。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述触控薄膜晶体管的栅极与所述显示薄膜晶体管的栅极同层设置、所述触控薄膜晶体管的源极和漏极与所述显示薄膜晶体管的源极和漏极同层设置。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述发射信号线和接收信号线平行地设在相邻的两个所述数据线之间，并与所述数据线平行。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述发射信号线和接收信号线与所述数据线同层设置。

6.根据权利要求2所述阵列基板，其特征在于，所述第一连接电极和所述第二连接电极与所述像素电极同层设置。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔的一侧的上方设有第一连接过孔，所述第一连接电极通过所述第一连接过孔与所述间隔的一侧连接，所述间隔的另一侧的上方设有第二连接过孔，所述第二连接电极通过所述第二连接过孔与所述间隔的另一侧连接。

8.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，在所述阵列基板的横向上相隔预定的像素区域设置一对所述发射信号线和接收信号线，并在所述阵列基板的纵向上相隔预定的像素区域在该对所述发射信号线和接收信号线之间设置一个触控薄膜晶体管。

9.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线与所述发射信号线具有同步信号源。

10.一种如权利要求1-9中任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤11，在基板上形成栅线和触控薄膜晶体管的栅极；

步骤12，在形成有栅线和触控薄膜晶体管的栅极的基板上形成发射信号线、接收信号线、触控薄膜晶体管的有源层、源极、漏极和沟道，所述触控薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述发射信号线连接、漏极与所述接收信号线连接，且所述触控薄膜晶体管的栅极、源极和漏极的一极中设有间隔，所述间隔在触控操作发生时连通。

11.根据权利要求10所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤12包括：

步骤121，在形成有栅线和触控薄膜晶体管的栅极的基板上形成发射信号线、接收信号线、以及触控薄膜晶体管的有源层、源极、漏极和沟道；

步骤122，在形成有发射信号线、接收信号线、以及触控薄膜晶体管的有源层、源极、漏极和沟道的基板上沉积钝化层薄膜，通过构图工艺，在所述间隔的一侧的上方形成第一连接过孔，在所述间隔的另一侧的上方形成第二连接过孔；

步骤123，在形成有各连接过孔的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺，形成第一连接电极和第二连接电极，第一连接电极通过第一连接过孔连接所述间隔的一侧，第二连接电极通过第二连接过孔连接所述间隔的另一侧。