[发明专利]大功率LED用相变型铜合金内外散热一体件的制备方法无效
申请号: | 201110132388.7 | 申请日: | 2011-05-20 |
公开(公告)号: | CN102208501A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 耿贵立 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/64 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 王吉勇 |
地址: | 250061 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率 led 相变 铜合金 内外 散热 一体 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种散热件的制备方法,尤其是一种大功率LED用相变型铜合金内外散热一体件的制备方法。
背景技术
目前大功率LED作为第四代电光源,赋有“绿色照明光源”之称。由于LED是光电器件,在其工作过程中仅有15%至20%的电能转换成光,其余的80%至85%则转换成了热。若这些热未适时排出至外界,那么将会使LED晶粒界面温度过高而严重影响发光效率及发光寿命。因此,在大功率LED的设计和使用中,如何散热是个大问题。目前的散热方案是,在管芯下面放一个尺寸较大无相变产生的铜散热垫,然后将散热垫底面与印制板(PCB)的敷铜面焊在一起,印制板的另一面再与铝散热器相连,把管芯的热量传到外面来。而这些连接件均不具备相变吸热的功能。另外,在整个散热路径中,器件多、界面多,热阻就大,散热就慢,管芯温度就会很高,因而LED的发光效率及发光寿命就会大幅降低。
发明内容
本发明的目的是为克服上述现有技术的不足,提供一种制备工艺简单,造价低,使用方便,散热路径界面少,热阻小,散热快,可全部替代现有技术中内置铜散热垫、各类印制板(PCB)和外接铝散热器且集内置散热垫和外接散热器于一体的大功率LED用相变型铜合金内外散热一体件的制备方法。
为实现上述目的,本发明采用下述技术方案:
一种大功率LED用相变型铜合金内外散热一体件的制备方法,包括以下步骤:
第一步确定铜合金的相变点;
第二步确定散热件的几何形状,其中,散热件与芯片接触的一端,称为散热垫端,均为实心;另一端处于封装的外面,称为散热器端;散热器端可为实心,或者加工成空隙间隔为1-10mm、叶片厚度为0.1-10mm的平行槽,平行槽的深度根据LED灯实际安装时的空间确定;
第三步用铸造或机加工的方法将散热件加工成形;
第四步将第三步加工好的散热件放入热处理炉中,加热到830℃-836℃,保温20-24分钟;
第五步将第四步加热保温好的散热件取出,放入100℃的沸水中,保持31-34分钟;
第六步将散热件从沸水中取出,空冷至室温;
第七步将热处理后的散热件进行表面抛光或酸洗。
所述第一步中铜合金的相变点采用热分析仪确定,铜合金的相变点为35℃-100℃。
所述第一步中热分析仪为差示扫描量热分析仪或差热分析仪。
所述第二步中散热件的几何形状为:两端面直径相等的圆柱,或两个端面直径不相等的圆柱,或两个端面面积相等的棱柱,或两个端面面积不相等的棱柱,或一个端面为圆柱而另一个端面为棱柱;当散热件两端面截面积不相等时,截面积小的一端与芯片接触,称为散热垫端,其尺寸可与现有技术同规格散热垫相同;截面积大的一端处于封装的外面,称为散热器端。
所述第四步中所用热处理炉为盐浴炉或气体保护炉或真空炉。
本发明中的铸造或机加工的方法均为现有技术,在此不再赘述。
经过上述加工与处理,当散热件的温度达到相变温度后,铜合金开始发生由热弹性马氏体向母相转变的相变,而这一相变过程是一个吸热过程,其间每克合金可吸收7-9焦耳的热量,等于1瓦的大功率LED在10秒内没有产生热量,这就大大抑制了温度的上升。在相变前后,其散热能力得益于路径少热阻小而优于现有技术。另外,散热器端具有叶片的,其叶片在搬运等过程中因磕碰而产生的变形,当其达到相变温度后也会自动恢复,不会影响散热。
本发明制备工艺简单,造价低,使用方便,可将现有技术的散热垫、印制板、散热器等3种器件的功能集于一身,大大减少了散热路径和热阻,提高了散热能力,延长了寿命,也提高了发光率。因此,本发明对于实际应用具有较高的开发应用价值。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进一步说明。
实施例1:一种大功率LED用集内置散热垫和外接散热器于一体的相变型散热件的制备方法,包括以下步骤:
第一步用热分析仪确定铜合金的相变点为35℃;
第二步将散热件的几何形状设计为:两端面直径相等的圆柱;
第三步用铸造的方法将散热件加工成形;
第四步将第三步加工好的散热件放入热处理炉中,加热到830℃,保温20分钟;
第五步将第四步加热保温好的散热件取出,放入100℃的沸水中,保持31分钟;
第六步将散热件从沸水中取出,空冷至室温;
第七步将热处理后的散热件进行表面抛光;
所述第一步中热分析仪为差示扫描量热分析仪。
所述第四步中所用热处理炉指盐浴炉。
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