[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体元件，所述半导体元件具有矩形的二维几何形状且用作热源；

第一热沉部，所述的第一热沉部使得所述半导体元件安装于其上；以及

第二热沉部，所述第二热沉部连接到具有所述半导体元件的所述第一热沉部的相反侧，

其中，热导率的方向分量当中的关系为：

K1yy≥K1xx＞K1zz，

其中，将X、Y和Z方向中的所述热沉部的三维热导率的方向分量限定为Kxx、Kyy和Kzz，并且

其中，所述第二热沉部的热导率的方向分量当中的关系为：

K2zz≥K2yy＞K2xx或K2yy≥K2zz＞K2xx，

其中，将X、Y和Z方向中的所述第二热沉部的热导率的方向分量限定为K2xx、K2yy和K2zz。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述热沉部包括至少在其正面和背面的金属层。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，

在所述金属层和所述热沉部之间的界面中包括接合层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，

其中，包括多个所述半导体元件，并且

其中，所述各半导体元件被沿着所述半导体元件的长边方向串联地排列。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

在X、Y和Z方向中的所述热沉部的所述热导率的至少两个方向分量等于或高于600W/mK，所述热沉部具有各向异性的热导率。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述热沉部由至少包括碳的复合材料组成。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述热沉部由复合材料组成，并且，被规定为Kxx、Kyy和Kzz的、所述复合材料的三维热导率的各方向中的每个方向相对于所述半导体元件的X、Y和Z方向中的每个方向倾斜大约10度以内。

8.一种半导体器件，包括：

半导体元件，所述半导体元件具有矩形的二维几何形状且用作热源；

第一热沉部，所述第一热沉部使得所述半导体元件安装于其上；以及

第二热沉部，所述第二热沉部连接到具有所述半导体元件的所述第一热沉部的相反侧，

其中，所述第一热沉部的热导率的方向分量当中的关系为：

K1yy≥K1xx＞K1zz，

其中，所述半导体元件的长边方向定义为X方向，其短边方向定义为Y方向，并且厚度方向定义为Z方向，并且将X、Y和Z方向中的所述第一热沉部的所述热导率的方向分量限定为K1xx、K1yy和K1zz，以及

其中，所述第二热沉部由具有等于或高于300W/mK的各向同性热导率的材料组成。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，

所述半导体器件包括在上面安装有所述热沉部的所述半导体元件的表面的一侧上的金属层。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，

在所述金属层和所述热沉部之间的界面中包括接合层。

11.如权利要求8所述的半导体器件，

其中，包括多个所述半导体元件，并且

其中，所述各半导体元件被沿着所述半导体元件的长边方向串联地排列。

12.如权利要求8所述的半导体器件，其中，

在X、Y和Z方向中的所述热沉部的所述热导率的至少两个方向分量等于或高于600W/mK，所述热沉部具有各向异性的热导率。

13.如权利要求8所述的半导体器件，其中，

所述热沉部由至少包括碳的复合材料组成。

14.如权利要求8所述的半导体器件，其中，

所述热沉部由复合材料组成，并且，被规定为Kxx、Kyy和Kzz的、所述复合材料的三维热导率的各方向中的每个方向相对于所述半导体元件的X、Y和Z方向中的每个方向倾斜大约10度以内。