[发明专利]一种红外透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种红外透明导电薄膜，蓝宝石衬底的单面或双面镀上SiO₂增透薄膜，形成蓝宝石试样；其特征在于：在蓝宝石试样的SiO₂增透薄膜上或者蓝宝石表面覆盖一层Au网栅薄膜，形成了红外透明导电薄膜；Au网栅薄膜的厚度为20～30nm，Au网栅薄膜的周期为500～700μm，Au网栅薄膜的线宽为2.0～4.0μm。

2.一种制备权利要求1所述红外透明导电薄膜的方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1，清洗蓝宝石试样；对镀有SiO₂增透薄膜的蓝宝石试样进行清洗；清洗的工艺条件为：先将蓝宝石试样放在去离子水中用超声波清洗，超声波的功率为100～200W，超声波的频率为20～24kHz，清洗时间为2～4分钟；然后将蓝宝石试样放在无水乙醇中用超声波清洗，超声波的功率为100～200W，超声波的频率为20～24kHz，清洗时间为3～5分钟，得到清洗干净的蓝宝石试样；

步骤2，涂光刻胶；采用旋转涂胶机在清洗干净的蓝宝石试样的SiO₂薄膜上涂光刻胶；涂光刻胶的工艺条件为：在室温下，滴3～5ml的光刻胶在SiO₂薄膜上，涂胶机的旋转速度为3400～3500r/min，旋转时间为47～53s，得到涂有光刻胶的蓝宝石试样；

步骤3，前烘；将涂有光刻胶的蓝宝石试样放入烘箱内进行前烘；前烘的工艺条件为：前烘温度为105～110℃，前烘保温时间为116～120s；将所述的蓝宝石试样取出空冷至室温，得到经过前烘的涂有光刻胶的蓝宝石试样；

步骤4，曝光；采用光刻机对经过前烘的涂有光刻胶的蓝宝石试样进行曝光；曝光的工艺条件为：将具有周期为500～700μm，线宽为2.0～4.0μm的掩模版压在所述的蓝宝石试样的光刻胶表面，曝光时间为38～42s，得到经过曝光的涂有光刻胶的蓝宝石试样；

步骤5，显影；对经过曝光的涂有光刻胶的蓝宝石试样进行显影；显影的工艺条件为：在室温下，取浓度为3～4％的显影溶液20～30ml，将所述的蓝宝石试样放入显影溶液中显影，显影时间为90～96s，得到经过显影的涂有光刻胶的蓝宝石试样；

步骤6，后烘；将经过显影的涂有光刻胶的蓝宝石试样放入烘箱内进行后烘；后烘的工艺条件为：后烘的温度为108～112℃，后烘的保温时间为120～126s，然后将所述的蓝宝石试样取出空冷至室温，得到经过后烘的涂有光刻胶的蓝宝石试样；

步骤7，沉积Au薄膜；采用射频磁控溅射方法在经过后烘的涂有光刻胶的蓝宝石试样上沉积Au薄膜；射频磁控溅射的工艺条件为：溅射功率为86～90W，Ar气流量为13.0～15.0SCCM，衬底温度为室温，靶基距为6.0～6.2cm，溅射气压为0.2～0.3Pa，沉积时间5～7min，得到镀有Au网栅薄膜的涂有光刻胶的蓝宝石试样；

步骤8，去光刻胶；对镀有Au网栅薄膜的涂有光刻胶的蓝宝石试样进行去光刻胶；去光刻胶的工艺条件为：将镀有Au网栅薄膜的涂有光刻胶的蓝宝石试样放入去胶剂中用超声波清洗，超声波的功率为200～300W，超声波的频率为20～24kHz，清洗时间为4～6分钟，得到去掉光刻胶镀有Au网栅薄膜的蓝宝石试样；

步骤9，清洗；对镀有Au网栅薄膜的蓝宝石试样进行清洗；清洗的工艺条件为：将镀有Au网栅薄膜的蓝宝石试样放在去离子水中用超声波清洗，超声波的功率为200～300W，超声波的频率为20～24kHz，清洗时间为6～8分钟，然后将镀有Au网栅薄膜的蓝宝石试样放在无水乙醇中用超声波清洗，超声波的功率为200～300W，超声波的频率为20～24kHz，清洗时间为6～8分钟，得到红外透明导电薄膜。