[发明专利]一种全背电极太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种全背电极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述太阳能电池包括硅片，所述硅片具有正面和背面，所述正面为所述硅片正常使用时的受光面，所述背面为所述正面相对的一面，所述太阳能电池的全部电极均形成于所述硅片的背面，所述制作方法包括如下步骤：

A、对用于制作所述太阳能电池的硅片进行损伤层去除和正面制绒，并制得抛光的硅片背面；

B、对所述硅片进行磷扩散，同时在所述硅片的正面形成正面场、在所述硅片的背面形成背面场；然后在所述硅片的正面和背面形成一层氧化膜；

C、在所述硅片背面需要形成发射极电极的地方去除顶部的所述氧化膜和磷扩散后形成的所述背面场，在需要制作基极电极的地方保留所述氧化膜和所述背面场；

D、以所述保留的氧化膜为掩膜，对所述硅片背面去除了所述氧化膜和所述背面场的地方进行扩散形成发射极；

E、去除所述硅片背面保留的氧化膜，露出其下的基极；然后分别在所述发射极和基极位置形成金属电极。

2.根据权利要求1所述的全背电极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述步骤B中进一步包括：对所述硅片进行磷扩散之后去除形成于所述硅片表面的磷硅玻璃。

3.根据权利要求2所述的全背电极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述步骤E中进一步包括：去除所述硅片背面保留的氧化膜之后，重新在所述硅片背面形成一层氧化膜。

4.根据权利要求3所述的全背电极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述步骤E中进一步包括：形成所述金属电极之后对所述硅片进行边缘绝缘刻蚀。

5.根据权利要求1-4之一所述的全背电极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述步骤C中，使用激光刻蚀法一步完成去除所述氧化膜和所述背面场的步骤。

6.根据权利要求5所述的全背电极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述激光刻蚀法中的开槽宽度为1000-5000微米，深度大于2微米。

7.根据权利要求1-4之一所述的全背电极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述步骤C中，去除所述氧化膜和所述背面场的步骤包括：对需要去除所述氧化膜和所述背面场的位置使用喷墨法涂覆光刻胶后，利用等离子刻蚀的方法一步完成。

8.根据权利要求1-4之一所述的全背电极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述步骤B中，所述磷扩散的扩散深度为0.5-2微米。

9.根据权利要求1-4之一所述的全背电极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述步骤D中，所述扩散形成发射极的步骤中的扩散深度为0.5-2微米。

10.根据权利要求1-4之一所述的全背电极太阳能电池的制作方法，其特征在于，进一步包括在所述硅片正面形成厚度为500-1500的抗反射氮化膜。