[发明专利]窑变釉白云陶及其制作工艺有效

专利信息
申请号: 201110133469.9 申请日: 2011-05-23
公开(公告)号: CN102249738A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 陈志翰;黄太松;黄诗福 申请(专利权)人: 福建省佳美集团公司
主分类号: C04B41/86 分类号: C04B41/86
代理公司: 泉州市博一专利事务所 35213 代理人: 洪渊源
地址: 362500 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 窑变釉 白云 及其 制作 工艺
【说明书】:

技术领域

发明属于陶瓷技术领域,具体地说是指一种窑变釉白云陶以其制作工艺。

背景技术

传统的窑变釉为中高温烧成,烧成温度在1200℃以上,烧成时间大都在12个小时以上,其烧成温度高、时间长,能源损耗大,导致成本高且不环保;而现有轻质白云陶窑变釉的釉面效果单一,品种单调,无法迎合不同个性的消费者需求。寻求一种可低温快速烧成且可通过控制不同釉面效果的轻质白云陶窑变釉的釉料及其制作工艺显得十分必要。

发明内容

本发明为解决现有窑变釉白云陶烧成温度高、烧成时间长、釉面效果单一的技术问题,提供了一种可低温快速烧成的白云陶窑变釉及其制作工艺,且可通过调整底釉、面釉制得不同的釉面效果。

本发明的技术方案如下:

窑变釉白云陶,包括白云陶坯体以及施于白云陶坯体表面上的釉层,该釉层包括直接施在白云陶坯体表面的底釉和施于底釉面上的面釉;其特征在于:所述底釉的各组分按重量配比为70~75份低温无铅熔块、5~6份着色氧化物、12~14份碳酸钙、3~5份碱土金属化合物、5~6份高岭土;所述面釉的各组分按重量配比为85~90份低温无铅熔块、2~5份氧化锌、2~5份氧化钛、0~2份着色氧化物、5~6份高岭土。

进一步,前述底釉的着色氧化物为三氧化铁;所述面釉的着色氧化物为氧化钴、氧化铜或氧化锰。

前述碱土金属化合物为碳酸锶和/或碳酸钡。

本发明还提供一种窑变釉白云陶的制作工艺,其特征在于包括以下步骤:

a)制备釉料:将70~75重量份低温无铅熔块、5~6重量份着色氧化物、12~14重量份碳酸钙、3~5重量份碱土金属化合物、5~6重量份高岭土混均制成底釉混合料,再按重量配比为底釉混合料:水=1:0.75~0.85加水,球磨后制得底釉;将85~90重量份低温无铅熔块、2~5重量份氧化锌、2~5重量份氧化钛、0~2重量份着色氧化物、5~6重量份高岭土混均制成面釉混合料,再按重量配比为面釉混合料:水=1:0.75~0.85加水,球磨后制得面釉;

b)施底釉:在白云陶坯体表面施上一层上述底釉;

c)施面釉:在白云陶坯体表面施上一层上述面釉;

d)烧成:将上釉后的白云陶坯体送入烤窑内烘烤完成,出窑冷却后得成品;烧成温度为1080~1100℃,烧成时间为8~12个小时。

前述烤窑可以是隧道窑或旋转电窑。

本发明提供的窑变釉白云陶,烧成温度1080~1100℃,单批烧成时间为8~12个小时,烧成温度低、时间短,实现低温高效的轻质白云陶窑变釉生产工艺,节能环保,降低产品的生产成本,提高市场竞争力,具有很高的社会效益和经济效益。底釉料中的碳酸钙形成釉面钙长石晶束、面釉料中的氧化钛形成钛晶束,可通过调整底釉、面釉釉料的配比及釉层厚度,控制底釉层和面釉层的反应激烈程度,制得各种晶束状等不同釉面效果的白云陶窑变釉。

具体实施方式

窑变釉白云陶的制作工艺,包括以下步骤:

a)制备釉料:将70~75重量份低温无铅熔块、5~6重量份着色氧化物、12~14重量份碳酸钙、3~5重量份碱土金属化合物、5~6重量份高岭土混均制成底釉混合料,再按重量配比为底釉混合料:水=1:0.75~0.85加水,球磨后制得底釉;将85~90重量份低温无铅熔块、2~5重量份氧化锌、2~5重量份氧化钛、0~2重量份着色氧化物、5~6重量份高岭土混均制成面釉混合料,再按重量配比为面釉混合料:水=1:0.75~0.85加水,球磨后制得面釉;

b)过筛:将上述制得的底釉、面釉分别过180目筛;

c)施底釉:在白云陶坯体表面施上一层上述底釉;

d)施面釉:在白云陶坯体表面施上一层上述面釉;

e)烧成:将上釉后的白云陶坯体送入隧道窑或旋转电窑内烘烤完成,出窑冷却后得成品;烧成温度为1080~1100℃,烧成时间为8~12个小时。

前述底釉的着色氧化物为三氧化铁;面釉的着色氧化物为氧化钴、氧化铜或氧化锰;前述底釉的碱土金属化合物为碳酸锶和/或碳酸钡。

表1中列出五种优选的底釉配方:

表1

表2中列出五种优选的底釉配方:

表2

 

窑变釉白云陶的底釉、面釉配比可根据实际需要,分别依表1、表2中选择其一,通过不同配比的底釉、面釉以及釉层厚度,控制底釉层和面釉层的反应激烈程度,制得各种晶束状等不同釉面效果的白云陶窑变釉。

上述仅为本发明的具体实施方式,但本发明的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动,均应属于侵犯本发明保护范围的行为。

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